桂林电子科技大学黄鹏儒获国家专利权
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龙图腾网获悉桂林电子科技大学申请的专利一种预测过渡金属对硼氢化物催化强度的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116386752B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310412290.X,技术领域涉及:G16C20/10;该发明授权一种预测过渡金属对硼氢化物催化强度的方法是由黄鹏儒;荆怡帆;刘佳溪;彭乐宇;李子源;杨慧城;周晟民;梁佳琪;夏永鹏;徐芬;孙立贤设计研发完成,并于2023-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种预测过渡金属对硼氢化物催化强度的方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种预测过渡金属对硼氢化物催化强度的方法,包括:构建的金属模型以及BH44基团的模型、设置模型相关的参数,对构建好的模型进行结构优化的计算、得出9种过渡金属表面的功函数Wff作为过渡金属固有性质指标、标记不同4d过渡金属对BH44的催化强度、采用数据分析法得到预测催化强度。这种方法能实现高效的预测和选择合适的硼氢化物金属催化剂,降低预测成本、实用性好,为过渡金属对硼氢化物催化性能提供了新的见解。
本发明授权一种预测过渡金属对硼氢化物催化强度的方法在权利要求书中公布了:1.一种预测过渡金属对硼氢化物催化强度的方法,其特征在于,包括如下步骤: 1选择Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd以及Ag九种4d过渡金属所对应的最稳定面的最稳定结构,构建需要进行计算的金属模型以及BH4基团的模型,依据物理化学手册,Nb,Mo最稳定的结构为BCC结构,Rh,Pd,Ag所对应的最稳定结构为FCC,最后四种Y,Zr,Tc,Ru的最稳定结构为HCP,对于BCC,FCC,HCP三种不同结构的金属,分别选择110面,111面,0001面作为三个结构对应的最稳定表面; 2设置模型相关的参数,对构建好的模型进行结构优化的计算:对4d过渡金属表面优化时,优化的参数为:k空间网格为6×6×1,平面波能量精度为1×10-5eVatom,平面波截断能量Ecut为450eV,自洽收敛误差为1×10-4eVatom,当对BH4基团模型进行优化时,k空间网格为5×5×5;截断能、自洽收敛误差与4d过渡金属优化时的设置一致,得到稳定态的9种4d过渡金属表面结构; 3通过VASP计算得出9种过渡金属表面的功函数Wf作为过渡金属固有性质指标,功函数是将电子从费米能级转移到无场区域所必需的最小能量,如公式1所示: Wf=φ0-Ef1, 其中φ0为当前过渡金属结构模型对应真空能级下的静电势能,Ef则表示为当前结构模型的费米能; 4得到稳定态的9种4d过渡金属表面结构以及稳定态的BH4基团结构后,对三种结构的4d过渡金属都做吸附位点的测试,在优化完成后的吸附模型中BH4基团都易显现出吸附于HCP位的倾向,选用HCP位点完成过渡金属对于BH4基团的吸附; 5得到9种TM@BH4的稳定态结构模型后,用第一性原理模拟软件MaterialsStudio测量BH4中的B-H键键长,以此标记不同4d过渡金属对BH4的催化强度,B-H键长越长,说明对应的4d过渡金属所具有的催化强度越高; 6采用Bader电荷分析对TM@BH4中的价电子数进行计算以及分析,研究TM@BH4中过渡金属与BH4基团中的电子交换情况,通过数据分析法得到过渡金属性质预测催化强度。
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