国巨电子(中国)有限公司;国巨股份有限公司萧胜利获国家专利权
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龙图腾网获悉国巨电子(中国)有限公司;国巨股份有限公司申请的专利微型电阻层的制造方法以及微型电阻器的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116364366B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111625034.6，技术领域涉及：H01C17/065；该发明授权微型电阻层的制造方法以及微型电阻器的制造方法是由萧胜利;纪智伟设计研发完成，并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本微型电阻层的制造方法以及微型电阻器的制造方法在说明书摘要公布了：一种微型电阻层的制造方法以及微型电阻器的制造方法。此微型电阻层的制造方法包含：提供基材；利用网版印刷工艺或溅射sputtering工艺来形成第一电阻层于基材上，其中第一电阻层覆盖基材的复数个产品区域；将第一电阻层切割为复数个第二电阻层，其中每一产品区域包含一个第二电阻层，每一第二电阻层的面积小于0.4*0.2平方毫米；以及根据预设电阻值来修整每一第二电阻层的图案，以使每一第二电阻层的图案对应至预设电阻值。此微型电阻器的制造方法应用上述微型电阻层的制造方法来制造微型电阻器。如此，可提供微型的电阻层以及电阻器。
本发明授权微型电阻层的制造方法以及微型电阻器的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种微型电阻层的制造方法，其特征在于包含： 提供基材，其中该基材被定义出复数个产品区域，每一该些产品区域的面积在0.4*0.2平方毫米mm2以下； 利用网版印刷工艺或溅射sputtering工艺来形成第一电阻层于该基材上，其中该第一电阻层覆盖该些产品区域； 将该第一电阻层切割为复数个第二电阻层，其中每一该些产品区域包含该些第二电阻层的一者，每一该些第二电阻层的面积小于0.4*0.2平方毫米mm2；以及 根据预设电阻值来修整每一该些第二电阻层的图案，以使每一该些第二电阻层的图案对应至该预设电阻值； 其中将该第一电阻层切割为复数个第二电阻层的步骤利用激光来进行。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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