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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利提高SiC MOSFET抗浪涌能力的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344619B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310265078.5，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权提高SiC MOSFET抗浪涌能力的半导体器件是由何艳静;裴冰洁;赖建锟;袁昊;宋庆文;汤晓燕;弓小武;张玉明设计研发完成，并于2023-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本提高SiC MOSFET抗浪涌能力的半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提高SiCMOSFET抗浪涌能力的半导体器件，涉及碳化硅功率半导体领域，包括：第一元胞区，第一元胞区包括多个阵列排布的晶体管，晶体管包括体二极管；第一二极管区，至少部分围绕第一元胞区，第一二极管区包括多个二极管；其中，每个二极管包括并联设置的第一子二极管和第二子二极管；第二元胞区，至少部分围绕第一二极管区，第二元胞区包括多个阵列排布的晶体管；第二二极管区，至少部分围绕第二元胞区，第二二极管包括多个二极管。本发明的第一二极管区和第二二极管区的二极管能够降低第一元胞区和第二元胞区的晶体管的导通压降，降低结温，还能一定程度上抑制电流集中，提高抗浪涌电流冲击能力。

本发明授权提高SiC MOSFET抗浪涌能力的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种提高SiCMOSFET抗浪涌能力的半导体器件，其特征在于，包括： 第一元胞区，所述第一元胞区包括多个阵列排布的晶体管，所述晶体管包括体二极管； 第一二极管区，至少部分围绕所述第一元胞区，所述第一二极管区包括多个二极管；其中，每个所述二极管包括并联设置的第一子二极管和第二子二极管； 第二元胞区，至少部分围绕所述第一二极管区，所述第二元胞区包括多个阵列排布的晶体管； 第二二极管区，至少部分围绕所述第二元胞区，所述第二二极管包括多个二极管；其中，所述第一二极管区和所述第二二极管区的二极管用于降低所述第一元胞区和所述第二元胞区的晶体管的反向导通时的压降； 还包括： 漏极； N+衬底，位于所述漏极的一侧； N-漂移层，位于所述N+衬底背离所述漏极的一侧； 其中，所述漏极与金属基板电连接，所述第一元胞区的所述晶体管、所述第一二极管区的所述二极管、所述第二元胞区的所述晶体管和所述第二二极管区的所述二极管共用同一所述漏极、所述N+衬底和所述N-漂移层； 所述晶体管包括： P阱层，位于N-漂移层背离漏极的一侧，所述P阱层包括相对设置的第一P阱层和第二P阱层；所述P阱层呈L型； N+源区，位于所述P阱层背离漏极的一侧，所述N+源区包括相对设置的第一N+源区和第二N+源区； P+源区，位于所述P阱层背离漏极的一侧，所述P+源区包括相对设置的第一P+源区和第二P+源区；所述P+源区与所述N+源区同层设置； 栅氧化层，位于至少部分所述N+源区和至少部分所述P阱层背离漏极的一侧；所述栅氧化层中设置有栅极金属； 源极金属，位于所述至少部分所述P+源区、至少部分所述N+源区和所述栅氧化层背离漏极的一侧，所述源极覆盖所述栅氧化层； 源极，位于所述源极金属背离漏极的一侧； 所述二极管为PiN二极管，所述PiN二极管包括： 二极管P+源区，位于N-漂移层背离漏极的一侧，所述二极管P+源区包括相对设置的第一二极管P+源区和第二二极管P+源区，分别形成第一子PiN二极管和第二子PiN二极管； 二极管源极金属，位于所述二极管P+源区背离漏极的一侧；所述二极管源极金属与所述二极管P+源区之间通过欧姆接触电连接； 二极管阳极，位于所述二极管源极金属背离漏极的一侧； 沿第一方向，所述二极管P+源区的尺寸为10μm~35μm；沿第二方向，所述二极管P+源区的尺寸为0.7μm~1.5μm，所述二极管P+源区的参杂浓度为1×1017cm-3～1×1019cm-3；其中，所述第一方向与所述第二方向相交。

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