电子科技大学张有润获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种集成沟道二极管的沟槽型4H-SiC MOSFET器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344615B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310038394.9，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种集成沟道二极管的沟槽型4H-SiC MOSFET器件是由张有润;龚存昊;陈卲桦;陈航;罗茂久;张波设计研发完成，并于2023-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成沟道二极管的沟槽型4H-SiC MOSFET器件在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种集成沟道二极管的沟槽型4H‑SiCMOSFET器件。本发明的MOSFET器件，当器件处于阻断状态时，P型屏蔽区对沟道处及栅氧化层起到保护作用，防止器件提前击穿及有效降低栅氧化层电场强度，从而使本发明器件有良好的阻断特性及栅氧化层可靠性。N+沟道区为器件反向时提供了沟道二极管续流通路，此沟道二极管VFF较低且为单极型导电，避免了体二极管开启，使得器件具有了更好的反向恢复特性并且避免了双极型退化问题。
本发明授权一种集成沟道二极管的沟槽型4H-SiC MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种集成沟道二极管的沟槽型4H-SiCMOSFET器件，其特征在于，包括漏极1、N+衬底2、N-外延层3、P型屏蔽区4、N+区5、P型基区6、N+沟道层7、栅氧化层8、栅极9、源极10；其中N+衬底2位于漏极1的上表面，N-外延层3位于N+衬底2的上表面；所述P型屏蔽区4位于N-外延层3上层两端，在两侧的P型屏蔽区4之间的N-外延层3上表面具有N+区5和P型基区6，其中N+区5位于P型基区6上表面；所述栅极9从N+区5中部沿垂直方向依次贯穿N+区5和P型基区6后延伸入N-外延层3中，所述栅氧化层8包裹住栅极9使栅极9与N+区5、P型基区6、N-外延层3隔离开；所述N+沟道层7位于P型基区6与栅氧化层8之间；所述源极10的一端嵌入在P型屏蔽区4中，另一端沿P型屏蔽区4的上表面延伸至N+区5的上表面。
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