山东浪潮华光光电子股份有限公司李毓锋获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉山东浪潮华光光电子股份有限公司申请的专利一种在金属衬底上生长GaN厚膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116334758B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111592538.2，技术领域涉及：C30B29/40；该发明授权一种在金属衬底上生长GaN厚膜的方法是由李毓锋;王成新;刘振兴设计研发完成，并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种在金属衬底上生长GaN厚膜的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种在金属衬底上生长GaN厚膜的方法。包括步骤如下：1在金属基板上制备腐蚀剥离层，然后在腐蚀剥离层上制备过渡界面层；2通入氨气，在氨气保护下，升温至GaN厚膜生长温度，在过渡界面层上生长GaN厚膜；3放入氢氟酸中，腐蚀10‑30分钟，剥离后得到GaN厚膜。本发明提供的在金属基板生长GaN厚膜的方法，在和GaN热膨胀系数相同或相近的金属基板上生长GaN厚膜，生长的GaN厚膜无龟裂，提高了GaN厚膜的合格率，降低了生产成本，并且腐蚀剥离层易被氢氟酸腐蚀，剥离GaN厚膜的过程简单快速，还不会对GaN厚膜造成损伤。
本发明授权一种在金属衬底上生长GaN厚膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种在金属衬底上生长GaN厚膜的方法，其特征在于，包括步骤如下： 1在金属基板上制备腐蚀剥离层，然后在腐蚀剥离层上制备过渡界面层； 其中，所述金属基板为钼基板或硬质合金基板，厚度为100~1000μm，表面经过镜面抛光；所述金属基板的热膨胀系数是GaN热膨胀系数的0.9~1.1倍；所述腐蚀剥离层为SiO2或SiN，厚度为10~500nm；所述过渡界面层为Al2O3，厚度为10~500nm； 2通入氨气，在氨气保护下，升温至GaN厚膜生长温度，然后通过金属有机化学气相沉积法或氢化物气相外延法在过渡界面层上生长GaN厚膜，得到生长有GaN厚膜的外延片； 3将外延片放入氢氟酸中，腐蚀10-30分钟，剥离后得到GaN厚膜。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山东浪潮华光光电子股份有限公司，其通讯地址为：261061 山东省潍坊市高新区金马路9号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励