TES股份有限公司权捧秀获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉TES股份有限公司申请的专利基板处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116313777B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211410560.5，技术领域涉及：H10P50/28；该发明授权基板处理方法是由权捧秀;裵世雄;宋银眞设计研发完成，并于2022-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本基板处理方法在说明书摘要公布了：根据本发明的基板处理方法是对包括氧化硅层与氮化硅层交替叠层的ONO堆叠的基板进行处理的方法，包括以下步骤：a对所述ONO堆叠的氮化硅层进行一次干式刻蚀；b生成氧自由基，利用氧自由基对所述ONO堆叠的氧化硅层进行处理；以及c对所述ONO堆叠的氮化硅层进行二次干式刻蚀。
本发明授权基板处理方法在权利要求书中公布了：1.一种基板处理方法，是对包括氧化硅层与氮化硅层交替叠层的ONO堆叠的基板进行处理的方法，其特征在于包括以下步骤： a对所述ONO堆叠的氮化硅层进行一次干式刻蚀； b生成氧自由基，利用氧自由基对所述ONO堆叠的氧化硅层进行处理；以及 c对所述ONO堆叠的氮化硅层进行二次干式刻蚀， 所述a步骤及c步骤的干式刻蚀将多种气体等离子体化以对所述氮化硅层进行刻蚀，且所述多种气体包括包含四氟化碳的第一气体及含有氢的第二气体。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人TES股份有限公司，其通讯地址为：韩国京畿道龙仁市处仁区阳智面中部大路2374-36；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励