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龙图腾网获悉世界先进积体电路股份有限公司申请的专利静电放电防护结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116259623B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111499179.6，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权静电放电防护结构是由林昌民;林志轩;周业宁;邱华琦;李建兴设计研发完成，并于2021-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本静电放电防护结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种静电放电防护结构，其中，所述静电放电防护结构包括一P型衬底、一P型结构、一N型埋层、一元件主动区、一P型保护环以及一N型结构。P型结构形成于P型衬底之中，作为P型衬底的电性接触。N型埋层形成于P型衬底中。元件主动区形成于N型埋层之上。P型保护环形成于N型埋层之上，并围绕元件主动区。N型结构形成于N型埋层之上，并位于P型保护环与P型结构之间。本发明实施例可以大幅提高静电放电防护结构的静电放电耐受度。

本发明授权静电放电防护结构在权利要求书中公布了：1.一种静电放电防护结构，其特征在于，包括： 一P型衬底； 一第一P型结构，形成于所述P型衬底之中，作为所述P型衬底的电性接触； 一N型埋层，形成于所述P型衬底中； 一元件主动区，形成于所述N型埋层之上，并包括： 一第二N型阱，形成于所述N型埋层之上； 一第一N型掺杂区，形成于所述第二N型阱之中； 一第三N型阱，形成于所述N型埋层之上； 一第二N型掺杂区，形成于所述第三N型阱之中； 一第五P型阱，形成于所述N型埋层之上； 一第五P型掺杂区，形成于所述第五P型阱之中； 一第七P型阱，形成于所述N型埋层之上； 一第六P型掺杂区，形成于所述第七P型阱之中； 一P型保护环，形成于所述N型埋层之上，并围绕所述元件主动区，并包括： 一第一P型阱，形成于所述N型埋层之上，并接触所述N型埋层； 一第一P型掺杂区，形成于所述第一P型阱之中； 一第二P型阱，形成于所述N型埋层之上，并接触所述N型埋层； 一第二P型掺杂区，形成于所述第二P型阱之中；以及 一第一N型结构，形成于所述N型埋层之上，并位于所述P型保护环与所述第一P型结构之间，并围绕所述P型保护环， 其中： 所述第一P型掺杂区及所述第二P型掺杂区构成所述P型保护环， 所述第五P型阱及所述第七P型阱构成一第一环形结构， 所述第二N型阱及所述第三N型阱构成一第二环形结构， 所述第二环形结构围绕所述第一环形结构，所述P型保护环围绕所述第二环形结构。

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