买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉湖南大学申请的专利纳米发光器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116247134B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310339372.6，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权纳米发光器件及其制备方法是由潘安练;吴家鑫;李梓维设计研发完成，并于2023-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本纳米发光器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种纳米发光器件及其制备方法，该纳米发光器件的制备方法，提供外延片，然后于外延片上形成牺牲层，再自上而下刻蚀形成贯穿牺牲层、第一导电层、第一氮化镓层和量子阱有源层，深至氮化镓叠层的至少一纳米柱结构，每一纳米柱结构均可作为一颗纳米发光器件的像素点。纳米柱结构采用氧化硅层填平后，去除牺牲层及部分氧化硅层，并在纳米柱结构和氮化镓叠层上形成第一电极且在氮化镓叠层上形成第二电极，由此制备的纳米发光器件的纳米柱结构形状完整，提高了纳米发光器件的出光效率和发光性能，释放了应力，缓解了应力集中带来的极化场影响，且在垂直方向的电子输送过程中，加强了纳米级尺度的电流限制能力，提高了电光转化效率。

本发明授权纳米发光器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种纳米发光器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供外延片，所述外延片包括自下而上依次设置的衬底、氮化镓叠层、量子阱有源层、第一氮化镓层和第一导电层；所述氮化镓叠层包括自下而上依次设置的第二氮化镓层和第三氮化镓层；第二电极位于所述第三氮化镓层上；所述第一氮化镓层为掺杂的P型氮化镓层，所述第二氮化镓层为未掺杂的氮化镓层，所述第三氮化镓层为未掺杂的N型氮化镓层；所述量子阱有源层为掺杂铟原子的氮化镓层； 于所述第一导电层上形成牺牲层； 刻蚀所述牺牲层、所述第一导电层、所述第一氮化镓层和所述量子阱有源层，以于所述N型氮化镓层上形成至少一纳米柱结构；所述纳米柱结构包括自下而上依此设置的量子阱有源层、第一氮化镓层和第一导电层； 采用湿法刻蚀去除所述纳米柱结构周侧的杂质粒子； 将形成有所述纳米柱结构的纳米发光器件放入第一溶液并超声处理，于所述N型氮化镓层和所述纳米柱结构的表面形成化学桥联键；将表面形成有所述化学桥联键的纳米发光器件放入第二溶液并低压处理，以及在空气静置后于所述N型氮化镓层和所述纳米柱结构上形成氧化硅层；所述第一溶液包括甲苯、3-氨丙基三乙氧基硅烷和水；所述第二溶液包括所述甲苯、无水乙醇和氨水； 去除所述牺牲层以及部分的所述氧化硅层，以露出所述纳米柱结构的所述第一导电层；所述纳米柱结构的第一导电层露出所述氧化硅层的高度小于50nm； 采用电子束蒸发技术，在所述纳米柱结构的顶端蒸镀所述第一导电层，于所述纳米柱结构和所述氧化硅层上形成第一电极，且所述第一电极与所述第一导电层接触设置；所述第一电极与所述第一导电层的材料相同； 于所述P型氮化镓层上形成第二电极，所述第二电极与所述纳米柱结构、所述氧化硅层间隔设置。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖南大学，其通讯地址为：410013 湖南省长沙市岳麓区麓山南路麓山门；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。