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龙图腾网获悉深圳市汇芯通信技术有限公司申请的专利增强型氮极性面氮化镓晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116247081B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310216625.0，技术领域涉及：H10D62/85；该发明授权增强型氮极性面氮化镓晶体管及其制造方法是由吴先民;梁帅;方雪冰;樊永辉;许明伟;樊晓兵设计研发完成，并于2023-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本增强型氮极性面氮化镓晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种增强型氮极性面氮化镓晶体管及其制造方法，其中，增强型氮极性面氮化镓晶体管包括自下而上依次层叠设置的衬底层、键合层、支撑层、势垒层和材质为GaN的沟道层，沟道层的氮极性面朝上，且源电极和漏电极分别位于沟道层相对的两侧，栅电极位于源电极和漏电极之间，且栅电极与沟道层通过材质为SiN的钝化层连接，沟道层对应栅电极的位置为反转部，反转部的材质为p‑GaN。本发明GaN朝向电极的一面为氮极性面，氮极性面的每个晶胞具有三个悬挂键，在与金属形成欧姆接触时极大程度上降低了接触电阻，从而降低了晶体管的发热，同时通过p‑GaN将沟道层与势垒层之间二维电子气产生的电子耗尽，从而使晶体管实现常关态，节省了功耗。

本发明授权增强型氮极性面氮化镓晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种增强型氮极性面氮化镓晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 在腔体内提供一层衬底； 在所述衬底上表面依次形成自下而上层叠设置的缓冲层、超晶格层和合并层； 在所述合并层上表面依次形成自下而上层叠设置的刻蚀层、沟道层、势垒层、支撑层、键合层和衬底层，获得初始晶体，其中，所述刻蚀层的材质为AlGaN，所述沟道层的材质为GaN，所述势垒层的材质为AlGaN，所述支撑层的材质为GaN，所述键合层的材质为SnIn； 将所述初始晶体上下倒置，以使所述衬底处于所述初始晶体的顶部； 剥离所述衬底； 刻蚀所述缓冲层、超晶格层和合并层； 盖设所述刻蚀层上表面形成第一预设图案，以露出所述第一预设图案下方的所述刻蚀层，并向所述第一预设图案处注入氟离子，以使所述第一预设图案下方对应位置处的所述沟道层发生反转，形成材质为p-GaN的反转部； 刻蚀所述刻蚀层； 在所述沟道层上表面形成欧姆接触区，并在所述欧姆接触区内制作漏电极和源电极； 在所述沟道层的上表面沉积形成钝化层，其中，所述钝化层的材质为SiN； 在所述反转部的上方形成安装区，并在所述安装区内制作栅电极，获得所述增强型氮极性面氮化镓晶体管，其中，所述沟道层靠近所述栅电极的一面为氮极性面； 所述在所述衬底上表面依次形成自下而上层叠设置的缓冲层、超晶格层和合并层的步骤包括： 通过金属有机化学气相沉积工艺在所述衬底上表面沉积AlN以形成所述缓冲层； 通过金属有机化学气相沉积工艺在所述缓冲层上表面沉积多个周期的AlGaN层和GaN层，获得所述超晶格层，其中，将在所述缓冲层上表面依次沉积一层AlGaN层和一层GaN层定义为一个所述周期； 通过金属有机化学气相沉积工艺在所述超晶格层上表面沉积GaN以形成所述合并层。

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