上海华虹宏力半导体制造有限公司曹俊获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116190427B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310139893.7，技术领域涉及：H10D62/60；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由曹俊;戴竝盈;陆涵蔚设计研发完成，并于2023-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，包括：衬底，所述衬底内具有若干浅沟槽隔离结构；若干第一掺杂区，位于所述衬底内，每个所述第一掺杂区的边缘与相邻的所述浅沟槽隔离结构的一侧重合，所述第一掺杂区的导电类型与所述衬底的导电类型相同，所述第一掺杂区的离子掺杂浓度大于所述衬底的离子掺杂浓度；介质层，覆盖所述浅沟槽隔离结构及所述衬底；若干插塞，位于所述介质层内，且每个所述插塞均覆盖相应的所述第一掺杂区及所述浅沟槽隔离结构的部分表面，所述第一掺杂区可以在所述衬底内形成一个较大的势垒，阻止所述插塞、所述衬底及所述浅沟槽隔离结构交界处的漏电流流入所述衬底内，进而避免漏电导致的器件失效。
本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底内具有若干浅沟槽隔离结构； 若干第一掺杂区，位于所述衬底内，每个所述第一掺杂区的边缘与相邻的所述浅沟槽隔离结构的一侧重合，所述第一掺杂区的导电类型与所述衬底的导电类型相同，所述第一掺杂区的离子掺杂浓度大于所述衬底的离子掺杂浓度； 介质层，覆盖所述浅沟槽隔离结构及所述衬底； 若干插塞，位于所述介质层内，且每个所述插塞均覆盖相应的所述第一掺杂区及所述浅沟槽隔离结构的部分表面； 还包括：若干第二掺杂区，位于相应的所述浅沟槽隔离结构内，每个所述第二掺杂区与相邻的所述第一掺杂区接触并电性连接，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的离子掺杂浓度及导电类型均相同，所述插塞还覆盖相应的所述第二掺杂区。
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