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龙图腾网获悉天津大学申请的专利一种气相刻蚀MAX相制备MXene二维材料的方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116161661B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310211898.6，技术领域涉及：C01B32/90；该发明授权一种气相刻蚀MAX相制备MXene二维材料的方法及应用是由姜辉;朱家民;崔振铎;梁砚琴;朱胜利设计研发完成，并于2023-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种气相刻蚀MAX相制备MXene二维材料的方法及应用在说明书摘要公布了：本发明属于新型二维材料技术领域，具体涉及一种气相刻蚀MAX相制备MXene二维材料的方法及应用。本发明公开了一种气相刻蚀MAX相制备MXene二维材料的方法，将MAX相粉末以及刻蚀气体前驱体按照一定的摩尔比例放置在密封的安瓿管中；真空密封的安瓿管放置在两段控温管式炉中，装有MAX相粉末以及刻蚀气体前驱体的一端放置在高温区，另一端放置在低温区，反应结束后自然降温至室温；冷却后的安瓿管进行切割处理，收集气体刻蚀MAX相粉末得到的MXene粉末。简便的刻蚀步骤和广泛的适用范围使得该方法适合MXene的大规模制备、生产和应用。

本发明授权一种气相刻蚀MAX相制备MXene二维材料的方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种气相刻蚀MAX相制备MXene二维材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、将MAX相和刻蚀气体或刻蚀气体前驱体放置在密封的安瓿管中，真空封管；所述MAX相包括：Ti3AlC2，还包括Ti2AlC，Ti3SiC2，Ti3GeC2，Ti3GaC2，Ti3InC2，Ti3SnC2和非Ti基MAX相； 当MAX相为Ti3AlC2粉末，刻蚀气体前驱体为CuBr2时，摩尔比Al：Br＝1：10； 当MAX相为Ti3AlC2粉末，刻蚀气体前驱体为I2，I2无需放置在内衬安瓿管中，摩尔比例为Al：I＝1：5； 当MAX相为Ti3AlC2粉末，刻蚀气体前驱体为FeCl3，摩尔比例为Al：Cl＝1：15； 当MAX相为Ti3AlC2粉末，刻蚀气体为HBr，摩尔比例为Al：HBr＝1：5； 当MAX相为Ti3AlC2粉末，刻蚀气体为HI，摩尔比例为Al：HI＝1：5； 当MAX相为Ti3AlC2粉末，刻蚀气体为HCl，摩尔比例为Al：HCl＝1：5； 步骤二、将步骤一真空密封的安瓿管放置在两段控温管式炉中，装有MAX相以及刻蚀气体前驱体的一端放置在高温区，另一端放置在低温区，用于使副产物通过气相运输至所述低温区；刻蚀反应结束后自然降温至室温；所述高温区的温度为600～650℃，低温区的温度为200～300℃； 步骤三、将步骤二得到的冷却后的安瓿管进行切割处理，收集MXene二维材料的粉末。

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