湖南三安半导体有限责任公司张磊获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南三安半导体有限责任公司申请的专利一种半导体器件的制造方法以及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130346B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310010351.X，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权一种半导体器件的制造方法以及半导体器件是由张磊;柴亚玲;陶永洪设计研发完成，并于2023-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的制造方法以及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件的制造方法以及半导体器件，方法包括提供带有p型掺杂区域的半导体外延结构；在半导体外延结构上形成掩膜层和隔离层；对隔离层和掩膜层进行光罩刻蚀，以形成开口，露出p型掺杂区域；在残留的隔离层和露出的p型掺杂区域上，形成欧姆金属层；执行高温回火处理，以使与p型掺杂区域接触的欧姆金属层的部分，形成欧姆金属接触层；去除残留的隔离层上的欧姆金属层的其它部分，和残留的隔离层以及掩膜层。本申请在欧姆金属层和掩膜层之间增加隔离层，再通过一步高温回火的方式形成欧姆接触，该工艺能够保证高温回火形成欧姆接触时含有铝组分，同时抑制金属穿刺掩膜层，确保形成低接触电阻和高可靠性的P型欧姆接触。
本发明授权一种半导体器件的制造方法以及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供带有p型掺杂区域的半导体外延结构； 在所述半导体外延结构上形成掩膜层，并在所述掩膜层上形成隔离层； 对所述隔离层和所述掩膜层进行光罩刻蚀，以在所述隔离层和所述掩膜层形成第一开口，露出所述半导体外延结构中的所述p型掺杂区域； 在残留的所述隔离层和露出的所述半导体外延结构中的所述p型掺杂区域上，形成欧姆金属层，其中，所述欧姆金属层的部分位于所述半导体外延结构中的所述p型掺杂区域之上，所述欧姆金属层的其它部分位于残留的所述隔离层之上；其中，所述欧姆金属层中含有铝成分，所述隔离层用于抑制铝穿刺所述掩膜层； 执行高温回火处理，以使与所述p型掺杂区域接触的所述欧姆金属层的部分，形成欧姆金属接触层； 去除残留的所述隔离层上的所述欧姆金属层的其它部分，和残留的所述隔离层以及掩膜层。
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