西安电子科技大学;西安电子科技大学芜湖研究院张金风获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学;西安电子科技大学芜湖研究院申请的专利一种基于氮化物材料与氮终端金刚石的二维电子气异质结结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130336B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310028324.5，技术领域涉及：H10P14/20；该发明授权一种基于氮化物材料与氮终端金刚石的二维电子气异质结结构及其制备方法是由张金风;杨智清;朱家铎;苏凯;任泽阳;何琦;张进成;郝跃设计研发完成，并于2023-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于氮化物材料与氮终端金刚石的二维电子气异质结结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于氮化物材料与氮终端金刚石的二维电子气异质结结构及其制备方法，包括以下步骤：步骤一、获取金刚石层；步骤二、对金刚石层表面进行氮终端处理，形成氮终端表面；步骤三、在氮终端表面上外延生长Al面极性纤维锌矿结构的单晶氮化铝或硼铝氮，形成氮化铝外延层或硼铝氮外延层，以形成基于氮终端金刚石的二维电子气异质结结构。本发明能够形成高质量的氮化铝氮终端金刚石异质结或硼铝氮氮终端金刚石异质结，能够产生高电子迁移率、高载流子浓度的二维电子气，显著提升该异质结基器件在高压、高频和大功率方面的应用潜力。
本发明授权一种基于氮化物材料与氮终端金刚石的二维电子气异质结结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于氮化物材料与氮终端金刚石的二维电子气异质结结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一、获取金刚石层； 其中，所述金刚石层为单晶金刚石材料或多晶金刚石材料； 步骤二、对所述金刚石层表面进行氮终端处理，形成氮终端表面； 步骤三、在所述氮终端表面上外延生长Al面极性纤维锌矿结构的单晶的氮化铝或硼铝氮，形成氮化铝外延层或硼铝氮外延层，以形成基于氮终端金刚石的二维电子气异质结结构；其中，外延生长硼铝氮时，通过在硼铝氮生长过程中调控硼源与铝源的比值生成硼铝氮外延层的硼与铝的组分； 当所述金刚石为单晶金刚石材料时，晶向为111或所述金刚石层的晶向为111时，所述氮化铝外延层的晶向为0001；所述金刚石层的晶向为时，所述氮化铝外延层的晶向为 当所述金刚石层为多晶金刚石材料时，外延生长氮化铝或硼铝氮时进行施主杂质掺杂。
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