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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利闪存存储器数据保存能力的快速测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116110487B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211595411.0，技术领域涉及：G11C29/50；该发明授权闪存存储器数据保存能力的快速测量方法是由陈一宁;蔡宇设计研发完成，并于2022-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本闪存存储器数据保存能力的快速测量方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种常温下闪存存储器数据保存能力的快速测量方法，通过在第一环境温度值下给闪存存储器施加预设电压值，并测量在该第一环境温度值下流经闪存存储器的第一电流密度值，将第一环境温度值提高至第二环境温度值，且在第二环境温度值下给闪存存储器施加预设电压值，并测量在该第二环境温度值下流经闪存存储器的第二电流密度值，以及根据测量所得第一电流密度值和第二电流密度值，处理得到表征闪存存储器数据保存能力的指标值。整个测量过程在常温条件下就可以进行，测试快速，无须在高温下做循环测试，闪存存储器在测试全程只需要承受1.5～2.5倍的闪存存储器工作电压，这样不会对该闪存存储器产生任何损害。

本发明授权闪存存储器数据保存能力的快速测量方法在权利要求书中公布了：1.闪存存储器数据保存能力的快速测量方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1，在第一环境温度值下给闪存存储器施加预设电压值，并测量在该第一环境温度值下流经闪存存储器的第一电流密度值；其中，第一环境温度值标记为，位于闪存存储器正常工作的温度范围内； 步骤2，将第一环境温度值提高至第二环境温度值，且在第二环境温度值下给闪存存储器施加预设电压值，并测量在该第二环境温度值下流经闪存存储器的第二电流密度值；其中，第二环境温度值标记为，，位于闪存存储器正常工作的温度范围内； 步骤3，根据测量所得第一电流密度值和第二电流密度值，处理得到表征闪存存储器数据保存能力的指标值； 所述第一电流密度值标记为，第二电流密度值标记为，第一电流密度值和所述第二电流密度值的计算方式均如下： ；，； 其中，是在环境温度值下流经闪存存储器的电流密度值，是与环境温度值有关的漂移电流值，是闪存存储器内存储层的流失电流值，该流失电流值与环境温度值无关，为玻尔兹曼常数，为单个电子电量，为时刻的电场强度，为极板间距离，和均为常数，为电势能常数。

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