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龙图腾网获悉沈阳工业大学申请的专利一种漏磁信号特征的量化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116087319B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310133592.3，技术领域涉及：G01N27/83；该发明授权一种漏磁信号特征的量化方法是由刘斌;葛前;武梓涵;何璐瑶;杨理践;任建;于慧;耿浩;廉正;王竹筠设计研发完成，并于2023-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种漏磁信号特征的量化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种漏磁信号特征的量化方法，包括基于建立子区域磁荷分布密度模型步骤、建立子区域磁荷受到的库仑力模型步骤和建立缺陷区域的磁荷量方程组步骤，得到缺陷区域的磁荷量方程组，在建立磁荷密度模型步骤中，得到缺陷区域第一侧壁的磁荷密度模型，基于建立改进的有效场模型步骤得到改进的有效场模型，并在建立改进的磁化强度与应力之间的关系模型步骤中得到改进的磁化强度与应力之间的关系模型，再基于改进的磁荷密度模型得到复合型磁荷解析模型，再通过实验验证步骤，对改进的磁荷密度模型和复合型磁荷解析模型进行验证。本发明将磁荷的非均匀分布和应力集中区的应力引入复合型磁荷解析模型，使漏磁信号特征的计算和测量结果更准确。

本发明授权一种漏磁信号特征的量化方法在权利要求书中公布了：1.一种漏磁信号特征的量化方法，其特征在于：基于建立子区域磁荷分布密度模型步骤，得到缺陷区域的m×n个子区域和子区域磁荷分布密度模型，进而在建立子区域磁荷受到的库仑力模型步骤中，得到m×n个子区域的子区域磁荷受到的库仑力模型，再在建立缺陷区域的磁荷量方程组步骤中，将m×n个子区域的子区域磁荷受到的库仑力模型联立，得到缺陷区域的磁荷量方程组，在建立磁荷密度模型步骤中，根据缺陷区域的磁荷量方程组计算得到每个子区域的磁荷量，将每个子区域的磁荷量代入子区域磁荷分布密度模型，得到缺陷区域第一侧壁的磁荷密度模型； 再基于建立改进的有效场模型步骤，将弹性有效场模型和塑性有效场模型代入有效场模型中，得到改进的有效场模型，在建立改进的磁化强度与应力之间的关系模型步骤中，将改进的有效场模型代入磁化强度与应力之间的关系模型，得到改进的磁化强度与应力之间的关系模型，将改进的磁化强度与应力之间的关系模型与缺陷区域第一侧壁的磁荷密度模型相结合，得到改进的磁荷密度模型，再基于建立复合型磁荷解析模型步骤，将改进的磁荷密度模型代入磁荷模型中，得到复合型磁荷解析模型； 再通过实验验证步骤，对改进的磁荷密度模型和复合型磁荷解析模型进行验证； 在建立子区域磁荷分布密度模型步骤中，在库仑力的作用下稳定状态的磁荷呈现非均匀分布，将铁磁性材料的缺陷处侧壁边长为Dy×Dz的缺陷区域进行划分，得到m×n个子区域，每个子区域的边长为，进而得到子区域磁荷分布密度模型为： 1 其中，i等于1、2、3…n；j等于1、2、3…m；ρij为子区域的磁荷密度；Qij为子区域的磁荷量；s为缺陷区域的侧壁的面积； 在建立子区域磁荷受到的库仑力模型步骤中，根据m×n个子区域，在缺陷区域的侧壁的磁荷处于稳定状态的情况下，缺陷区域侧壁的磁荷受到的磁力矢量和为0，得到子区域磁荷受到的库仑力模型为： 2 3 4 其中，Qi，j+为缺陷区域的第一侧壁的每个子区域的磁荷量；Qi，j-为缺陷区域的第二侧壁的每个子区域的磁荷量；qa,b为缺陷区域侧壁内的单位点磁荷；a等于1、2、3…n-1，b等于1、2、3…m-1，且a不等于b；r3为缺陷区域同一个侧壁内磁荷之间的距离；r4为缺陷区域第一侧壁与缺陷区域第二侧壁之间的磁荷之间的距离；K为库伦常量； 在建立改进的有效场模型步骤中，基于有效场模型，并且结合缺陷区域的应力集中区的应力对磁荷密度分布的影响，得到弹性阶段有效场模型为： 9 其中，为弹性有效场；θ为磁化方向和应力方向的夹角；ν为泊松比；σ为应力；λs为磁致伸缩系数；Ms为饱和磁化强度；μ0为真空磁导率； 并得到塑性阶段有效场模型为： 10 其中，为塑性有效场；k为弹性能和磁能之比；k'为单位体积内钉扎点的平均密度；εp为塑性变形量；λs为磁致伸缩系数；μ0为真空磁导率；E是杨氏模量；Ms为饱和磁化强度； 再将弹性有效场模型和塑性有效场模型代入有效场模型中，得到改进的有效场模型为： 11 其中，H为激励磁场；θ为磁化方向和应力方向的夹角；ν为泊松比；σ为应力；λs为磁致伸缩系数；Ms为饱和磁化强度；μ0为真空磁导率；k为弹性能和磁能之比；k'为缺陷区域单位体积内钉扎点的平均密度；εp为塑性变形量；E为杨氏模量； 在建立改进的磁化强度与应力之间的关系模型步骤中，在铁磁性材料漏磁的情况下，将改进的有效场模型代入磁化强度与应力之间的关系模型，得到改进的磁化强度与应力之间的关系模型： 12 其中，M为磁化强度；M为磁饱和磁化强度；Heff为有效场；α为磁化曲线形状系数； 在改进的磁荷密度模型步骤中，将改进的磁化强度与应力之间的关系模型与缺陷区域第一侧壁的磁荷密度模型相结合，得到改进的磁荷密度模型为： 13 其中，ρi,j为磁荷密度；μ为真空磁导率；M为磁化强度；α为磁化曲线形状系数； 在建立复合型磁荷解析模型步骤中，将改进的磁荷密度模型代入磁荷模型中，得到复合型磁荷解析模型： 14 其中，ρi,j为磁荷密度；μ为真空磁导率；r为检测点与缺陷区域侧壁之间的距离；m为缺陷区域侧壁的水平方向的子区域；n为缺陷区域侧壁的垂直方向的子区域；i为缺陷区域侧壁的垂直方向的一个子区域；j为缺陷区域侧壁的水平方向的一个子区域。

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