福建省晋华集成电路有限公司詹益旺获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116075151B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211357780.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器是由詹益旺;童宇诚;李甫哲;蔡建成;刘安淇;郭明峰;林刚毅;郑俊义设计研发完成，并于2020-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种存储器，第一支撑层横向支撑第一电极的侧壁的顶部，且所述第一支撑层包括掺碳的第一绝缘层及不掺碳的第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第二绝缘层上，掺碳的第一绝缘层具有较好的抗刻蚀能力，能够降低制备存储器时所述第一支撑层被其他刻蚀工艺破坏的程度，也即只有所述第一支撑层顶部被破坏，而所述第一支撑层的底部是完好的，可以保证所述第一支撑层的支撑效果；并且，虽然所述第一绝缘层掺碳会造成漏电，但是只有所述第一绝缘层掺碳，所述第二绝缘层是不掺碳的，相对现有技术可降低漏电情况，进而提高存储器的性能。
本发明授权存储器在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括： 衬底，包括有源区； 第一电极，设置于所述衬底上并向上延伸； 第一支撑层，横向支撑所述第一电极的侧壁，所述第一支撑层的顶部的横向宽度小于其底部的横向宽度，所述第一支撑层包括掺碳的第一绝缘层及不掺碳的第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第二绝缘层上，所述第一电极与包括所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的所述第一支撑层的侧壁之间具有间隙或所述第一电极与所述第二绝缘层的部分侧壁之间具有间隙；所述第一绝缘层的横向宽度与所述第二绝缘层的顶部的横向宽度相等； 金属氧化物层，覆盖所述第一电极、所述第一支撑层的表面以及所述间隙； 第二电极，位于至少部分所述金属氧化物层上。
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