山东浪潮华光光电子股份有限公司张义获国家专利权
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龙图腾网获悉山东浪潮华光光电子股份有限公司申请的专利一种减少表面颗粒的GaN厚膜生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116065238B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110674594.4，技术领域涉及：C30B29/40；该发明授权一种减少表面颗粒的GaN厚膜生长方法是由张义;王成新;王建立;李毓锋设计研发完成，并于2021-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种减少表面颗粒的GaN厚膜生长方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种减少表面颗粒的GaN厚膜生长方法。所述方法包括步骤如下：1通入氨气，在氨气保护下，升温至GaN厚膜生长温度；2在长有GaN籽晶的蓝宝石基板上生长GaN厚膜，然后通入刻蚀性原材料，一边去除托盘上多晶GaN颗粒，一边生长GaN厚膜，得到GaN厚膜。本发明在开始生长GaN厚膜时通入刻蚀性原材料至GaN厚膜生长结束或在GaN厚膜生长过程中间断通入刻蚀性原材料，可以避免托盘上生长多晶GaN，或者将托盘上已经生长的多晶GaN去除，直接避免和减少厚膜GaN生长过程中托盘上的多晶GaN颗粒落到外延片上，实现了GaN厚膜表面多晶GaN颗粒数量＜5个，成功制备得到表面平滑光亮的GaN厚膜。
本发明授权一种减少表面颗粒的GaN厚膜生长方法在权利要求书中公布了：1.一种减少表面颗粒的GaN厚膜生长方法，其特征在于，包括步骤如下： 1通入氨气，在氨气保护下，升温至GaN厚膜生长温度； 2通过金属有机化学气相沉积法或氢化物气相外延法在长有GaN籽晶的蓝宝石基板上生长GaN厚膜，然后通入刻蚀性原材料，一边去除托盘上多晶GaN颗粒，一边生长GaN厚膜，得到GaN厚膜； 其中，所述通入刻蚀性原材料的时机为：在开始生长GaN厚膜时通入刻蚀性原材料至GaN厚膜生长结束或在GaN厚膜生长过程中间断通入刻蚀性原材料，并且在GaN厚膜每生长2-20μm，通入一次刻蚀性原材料，通入时间为2-5min，形成周期性循环至GaN厚膜生长结束；所述刻蚀性原材料为四氯化碳、四溴化碳、氯化氢或氯气，通入量为5000-10000mol。
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