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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种输出电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116054811B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211581753.7，技术领域涉及：H03K19/0185；该发明授权一种输出电路是由黄河;吕斌;何军设计研发完成，并于2022-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种输出电路在说明书摘要公布了：一种输出电路，其中，所述第一PMOS管的源极连接电源电压，所述第一PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极和所述输出电路的输出端，所述第一NMOS管的源极接地。当所述调整电路包括第二NMOS管时，所述第一输入端连接所述第一PMOS管的栅极，所述第二输入端连接所述第二NMOS管的漏极，所述第二NMOS管的栅极连接所述电源电压，所述第二NMOS管的源极连接所述第一NMOS管的栅极。当所述调整电路包括第二PMOS管时，所述第一输入端连接所述第二PMOS管的源极，所述第二PMOS管的栅极接地，所述第二PMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的栅极，所述第二输入端连接所述第一NMOS管的栅极。

本发明授权一种输出电路在权利要求书中公布了：1.一种输出电路，其特征在于，包括：第一输入端、第二输入端、第一PMOS管、第一NMOS管和调整电路，所述调整电路包括：第二NMOS管或第二PMOS管； 所述第一PMOS管的源极连接电源电压，所述第一PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极和所述输出电路的输出端，所述第一NMOS管的源极接地； 当所述调整电路包括第二NMOS管时，所述第一输入端连接所述第一PMOS管的栅极，所述第二输入端连接所述第二NMOS管的漏极，所述第二NMOS管的栅极连接所述电源电压，所述第二NMOS管的源极连接所述第一NMOS管的栅极； 当所述调整电路包括第二PMOS管时，所述第一输入端连接所述第二PMOS管的源极，所述第二PMOS管的栅极接地，所述第二PMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的栅极，所述第二输入端连接所述第一NMOS管的栅极； 当所述调整电路包括第二NMOS管时，所述调整电路还包括：第三NMOS管；所述第三NMOS管的栅极连接所述第二输入端，所述第三NMOS管的漏极连接所述输出电路的输出端，所述第三NMOS管的源极接地； 当所述调整电路包括第二PMOS管时，所述调整电路还包括：第三PMOS管；所述第三PMOS管的栅极连接所述第一输入端，所述第三PMOS管的漏极连接所述输出电路的输出端，所述第三PMOS管的源极连接所述电源电压。

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