湘潭大学王金斌获国家专利权
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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利一种高频铁电负电容场效应晶体管及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116053324B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310148412.9，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种高频铁电负电容场效应晶体管及其制备方法和应用是由王金斌;张衡;钟向丽;吴祎玮;何家怡;谭丛兵;宋宏甲设计研发完成，并于2023-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高频铁电负电容场效应晶体管及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高频铁电负电容场效应晶体管及其制备方法，属于CMOS超大集成电路的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。本发明提供的高频负电容场效应晶体管，通过将具有快速铁电负电容效应的针状铁弹畴结构铁电薄膜作为栅介质层，结合特定的器件结构和工艺，克服了传统负电容场效应晶体管工作频率低、回滞大等问题。相比于同类器件而言，本发明产品具有运行速度快、回滞小和低功耗的突出优势，在微电子器件、军事军工和航天航空等领域具有重要的学术与应用价值。
本发明授权一种高频铁电负电容场效应晶体管及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种高频铁电负电容场效应晶体管，其特征在于，包括衬底，沟道层； 其中，所述沟道层沉积在所述衬底的上方； 所述沟道层的中间位置上方沉积形成缓冲层，所述缓冲层上方沉积形成的栅介质层；所述栅介质层上方沉积形成的栅电极； 所述沟道层包括沟道和分别设置在沟道两侧的源极区和漏极区； 所述源极区的上方沉积有源电极，所述漏极区上方沉积有漏电极； 所述衬底的材质为Si、Ge、SiGe、Ga2O3、GaAs、GaN中的一种或多种组合；所述缓冲层为CoFe2O4、SrTiO3、PbTiO3、PbZrO3中的一种或多种组合；所述缓冲层的厚度为5~100nm；所述栅介质层的材质为PbZrxTi1-xO3、BiFeO3、PbTiO3、BaTiO3中的一种或多种组合，其中0x1；所述栅介质层内部具有针状铁弹畴结构；所述栅介质层的厚度为5nm~300nm。
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