上海中欣晶圆半导体科技有限公司王建华获国家专利权
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龙图腾网获悉上海中欣晶圆半导体科技有限公司申请的专利一种腐蚀数字化模式的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116053127B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211271707.7，技术领域涉及：H10P50/64；该发明授权一种腐蚀数字化模式的方法是由王建华设计研发完成，并于2022-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种腐蚀数字化模式的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域。一种腐蚀数字化模式的方法，对硅片的晶向以及掺杂的类型进行存储记录；对当前硅片进行腐蚀过程中，通过浓度传感器对药液的浓度进行检测，对整个腐蚀过程的硅片的晶向以及掺杂的类型与药液的浓度进行数据关联；获得不同晶向以及掺杂的硅片对应的腐蚀药液的浓度。
本发明授权一种腐蚀数字化模式的方法在权利要求书中公布了：1.一种腐蚀数字化模式的方法，其特征在于，对硅片的晶向以及掺杂的类型进行存储记录； 对当前硅片进行腐蚀过程中，通过浓度传感器对药液的浓度进行检测，对整个腐蚀过程的硅片的晶向以及掺杂的类型与药液的浓度进行数据关联； 获得不同晶向以及掺杂的硅片对应的腐蚀药液的浓度； 将硅片腐蚀放入时间点以及硅片取出时间点进行记录，同时，输入当前腐蚀硅片的晶向以及掺杂类型，在硅片腐蚀放入时间点与硅片取出时间点这一时间范围内，所述浓度传感器在线监测药液中氢氟酸、硝酸以及醋酸的浓度，并存储在数据库内； 所述数据库内根据硅片的晶向进行一级分类，根据硅片的掺杂类型进行二级分类，根据时间点的先后顺序进行三级分类。
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