济南大学李阳获国家专利权
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龙图腾网获悉济南大学申请的专利氧化钨基忆阻器的制备方法及目标跟踪系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116018057B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310141346.2，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权氧化钨基忆阻器的制备方法及目标跟踪系统是由李阳;吴彤;钱凯;姚钊设计研发完成，并于2023-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本氧化钨基忆阻器的制备方法及目标跟踪系统在说明书摘要公布了：本发明涉及氧化钨基忆阻器的制备方法及目标跟踪系统，其中氧化钨基忆阻器的制备方法，包括以下步骤：氧化铟锡玻璃经清洗设定时间，得到底部电极；钨靶通过直流磁控溅射在底部电极上生长得到氧化钨膜，形成第一阻变层；氧化铟镓锌靶通过射频磁控溅射在第一阻变层上生长得到氧化铟镓锌薄膜，形成第二阻变层；银靶通过覆盖掩模板和直流磁控溅射得到银顶电极，形成顶部电极。使忆阻器的性能稳定，制备工艺简单，重复性高，薄膜均一性良好，通过改变制备参数和测试参数，便于实现多级阻态调控以及忆阻行为的调制，基于此忆阻器搭建的目标跟踪系统能够实现类脑突触仿生功能，可广泛应用于模拟人脑实现更高级别的认知功能。
本发明授权氧化钨基忆阻器的制备方法及目标跟踪系统在权利要求书中公布了：1.氧化钨基忆阻器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 氧化铟锡玻璃经清洗设定时间，得到底部电极； 钨靶通过直流磁控溅射在底部电极上生长得到氧化钨膜，形成第一阻变层； 氧化铟镓锌靶通过射频磁控溅射在第一阻变层上生长得到氧化铟镓锌薄膜，形成第二阻变层； 银靶通过覆盖掩模板和直流磁控溅射得到银顶电极，形成顶部电极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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