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西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司余崇江获国家专利权

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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司申请的专利一种单晶炉及二次加料方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115961336B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211627409.7,技术领域涉及:C30B15/00;该发明授权一种单晶炉及二次加料方法是由余崇江设计研发完成,并于2022-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

一种单晶炉及二次加料方法在说明书摘要公布了:本公开提供一种单晶炉及二次加料方法,所述单晶炉包括:炉体,其包括炉室;及至少一组挡块机构,每组所述挡块机构包括挡块及升降单元,所述挡块设置在所述炉室的内周壁上,且所述挡块连接至所述升降单元上,并在所述升降单元驱动下能够沿所述炉室轴向移动。本公开实施例提供了一种单晶炉及二次加料方法,能够在加料管的加料过程中灵活调整加料管的高度。

本发明授权一种单晶炉及二次加料方法在权利要求书中公布了:1.一种单晶炉,其特征在于,包括: 炉体,其包括炉室;及 至少一组挡块机构,每组所述挡块机构包括挡块及升降单元,所述挡块被配置为用于在通过加料管向单晶炉内二次加料过程时对所述加料管进行定位及限位,所述挡块设置在所述炉室的内周壁上,且所述挡块连接至所述升降单元上,并在所述升降单元驱动下能够沿所述炉室轴向移动; 所述炉室的内周壁上设有沿所述炉室轴向延伸的滑槽,所述炉室的侧壁内部还设有与所述滑槽相通的安装腔,所述炉室侧壁上还设有径向贯通所述安装腔及所述炉室的外周壁的径向通道; 其中,所述升降单元包括传动组件和驱动组件,所述挡块对应所述滑槽设置,所述驱动组件至少部分暴露至所述炉室外、且经由所述径向通道连接至所述传动组件,所述传动组件安装至所述安装腔内、且经由所述滑槽连接所述挡块,所述驱动组件通过所述传动组件驱动所述挡块沿所述炉室轴向移动。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司,其通讯地址为:710000 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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