武汉新芯集成电路制造有限公司管小进获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉新芯集成电路制造有限公司申请的专利灵敏放大器及存储芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115938412B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211525040.9，技术领域涉及：G11C7/06；该发明授权灵敏放大器及存储芯片是由管小进设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本灵敏放大器及存储芯片在说明书摘要公布了：本申请公开了一种灵敏放大器及存储芯片，该灵敏放大器包括预充电晶体管、第一钳位晶体管、侦测单元以及反馈单元，通过侦测单元侦测流经预充电晶体管的电流并转化为对应的电压，然后反馈单元根据该电压输出更低的电压，进而控制流经第一钳位晶体管的电流，不仅可以削弱流经第一钳位晶体管的电流峰值，缓解了对总位线或者位线充电的电流峰值较大的技术问题；而且侦测单元同时也起到了分压作用，预充电过程中也可以承受更大的电源电压，进而扩大了电源电压的允许使用范围。
本发明授权灵敏放大器及存储芯片在权利要求书中公布了：1.一种灵敏放大器，其特征在于，所述灵敏放大器包括： 预充电晶体管，所述预充电晶体管的第一极与电源端电连接，所述预充电晶体管的控制极与预充电控制端电连接； 第一钳位晶体管，所述第一钳位晶体管的第一极与所述预充电晶体管的第二极电连接，所述第一钳位晶体管的第二极与总位线电连接； 侦测单元，所述侦测单元耦接于所述电源端与所述预充电晶体管的第一极之间，用于侦测流经所述预充电晶体管的电流并转化为对应的电压；以及 反馈单元，所述反馈单元的输入端与所述预充电晶体管的第一极电连接，所述反馈单元的输出端与所述第一钳位晶体管的控制极电连接，用于削减流经所述第一钳位晶体管的电流峰值。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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