台湾积体电路制造股份有限公司林弘璋获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利存储单元、存储单元阵列及操作存储单元的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115878073B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210431632.8,技术领域涉及:G06F7/523;该发明授权存储单元、存储单元阵列及操作存储单元的方法是由林弘璋;李嘉富;史毅骏设计研发完成,并于2022-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储单元、存储单元阵列及操作存储单元的方法在说明书摘要公布了:本发明的实施例提供了一种存储单元,包括存储电路和乘法电路。乘法电路包括被配置为输出输出信号的输出节点、第一晶体管和初始化电路。第一晶体管连接输出节点与存储电路,并且被配置为接收至少第二信号。初始化电路通过输出节点连接至第一晶体管,并且被配置为响应于至少第三信号或第四信号来初始化乘法电路。存储电路被配置为存储第一存储节点的第一信号的第一值。乘法电路连接存储电路。乘法电路被配置为响应于第一信号和第二信号产生输出信号。输出信号对应于第一信号和第二信号的乘积。本发明的实施例还提供了一种存储单元阵列。本发明的实施例还提供了一种操作存储单元的方法。
本发明授权存储单元、存储单元阵列及操作存储单元的方法在权利要求书中公布了:1.一种存储单元,包括: 存储电路,被配置为存储第一存储节点的第一信号的第一值; 乘法电路,连接至所述存储电路,所述乘法电路被配置为响应于所述第一信号和第二信号产生输出信号,所述输出信号对应于所述第一信号和所述第二信号的乘积,所述乘法电路包括: 输出节点,被配置为输出所述输出信号; 第一晶体管,连接至所述输出节点和所述存储电路,并且被配置为至少接收所述第二信号;和 初始化电路,通过所述输出节点连接至所述第一晶体管,并且被配置为响应于至少第三信号或第四信号来初始化所述乘法电路。
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