武汉高芯科技有限公司黄晟获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉高芯科技有限公司申请的专利一种改善薄膜材料表面形貌的石墨舟及薄膜的生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115874277B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211499166.3，技术领域涉及：C30B19/06；该发明授权一种改善薄膜材料表面形貌的石墨舟及薄膜的生长方法是由黄晟;黄立;张冰洁;舒秀婷设计研发完成，并于2022-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种改善薄膜材料表面形貌的石墨舟及薄膜的生长方法在说明书摘要公布了：本发明属于薄膜材料的外延生长技术领域，具体涉及一种改善水平液相外延生长薄膜材料表面形貌的石墨舟及薄膜的生长方法，通过采用本发明提供的石墨舟以及外延薄膜的生长方法，能够消除水平液相外延制备薄膜材料过程中由于溶质对流以及汞压差异导致外延生长的薄膜材料出现宏观波纹缺陷，提高薄膜材料厚度以及组分的均匀性及平整度，改善探测器成像“鬼影”现象。
本发明授权一种改善薄膜材料表面形貌的石墨舟及薄膜的生长方法在权利要求书中公布了：1.一种采用水平液相外延石墨舟制备薄膜材料的方法，其特征在于，所述水平液相外延石墨舟包括：母液盖板1、保温盖板2、母液板3以及衬底板4；所述母液盖板1盖设于所述母液板3上方，所述衬底板4上设置有用于放置衬底的衬底槽41，所述母液板3上设置有用于放置母液用的母液槽31，所述保温盖板2盖设于所述母液槽31上，所述母液板3位于所述衬底板4的上方且二者可相对滑动设置；所述母液板3上还设置有汞源保护槽32，所述汞源保护槽32对称设置于母液槽31的两侧； 所述方法包括如下的步骤： S1：将水平外延炉进行升温至母液均匀化的温度； S2：水平外延炉分区降温至母液结晶点附近，使石墨舟的各个温区从左至右呈现一定的温度梯度，推动母液板3，使母液槽31位于衬底上方； S3：生长结束，推动母液板3，使母液槽31离开衬底上方。
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