北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司李东获国家专利权
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龙图腾网获悉北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利量子点发光器件及其制备方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115843192B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110919258.1，技术领域涉及：H10K50/115；该发明授权量子点发光器件及其制备方法、显示装置是由李东设计研发完成，并于2021-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本量子点发光器件及其制备方法、显示装置在说明书摘要公布了：一种量子点发光器件及其制备方法、显示装置，所述量子点发光器件包括：量子点发光层；载流子传输层，位于所述量子点发光层的至少一侧；单分子层，位于所述载流子传输层与所述量子点发光层之间；其中，所述单分子层的材料被配置为在可见光照射或加热条件下分子构型由顺式构型转化为反式构型，在紫外光照射条件下分子构型由反式构型转化为顺式构型，反式构型的分子链长度比顺式构型的分子链长度大。本公开实施例的量子点发光器件在光照或加热条件下可以达到减弱电子注入的效果，以及抑制量子点受无机金属氧化物材料表面缺陷淬灭的效果。
本发明授权量子点发光器件及其制备方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种量子点发光器件，其特征在于，包括： 量子点发光层； 载流子传输层，位于所述量子点发光层的至少一侧； 单分子层，位于所述载流子传输层与所述量子点发光层之间； 其中，所述单分子层的材料被配置为在可见光照射或加热条件下分子构型由顺式构型转化为反式构型，在紫外光照射条件下分子构型由反式构型转化为顺式构型，反式构型的分子链长度比顺式构型的分子链长度大； 其中，所述单分子层为自组装单分子层；所述单分子层的材料选自以下化合物中的任意一种或多种： 、、、、； 或者，所述单分子层的材料为配体，所述配体与所述量子点发光层的量子点配位结合；所述配体选自以下中的任意一种或多种： 、； 其中，R3为配位基团，R4为自由端，所述配位基团选自巯基、羟基、氨基、羧基、膦基和膦氧基中的任意一种或多种，所述自由端中含有硅氧烷基。
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