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龙图腾网获悉珠海越亚半导体股份有限公司申请的专利塑封空腔结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115818559B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211242809.6，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权塑封空腔结构及其制作方法是由陈先明;冯磊;赵江江;黄本霞;黄高;洪业杰设计研发完成，并于2022-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本塑封空腔结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种塑封空腔结构及其制作方法，所述塑封空腔结构包括具有沿高度方向分别贯穿绝缘层的第一空腔和第一导通柱的嵌埋封装框架；设置在所述第一空腔内的芯片组；设置在所述嵌埋封装框架上表面的第一线路层；设置在所述第一线路层上的第一介质层；设置在所述第一介质层上的第二线路层；贯穿所述第一介质层和所述绝缘层的通孔；在所述嵌埋封装框架下表面的第三线路层；在所述第三线路层上的支撑柱围墙；以及沿所述支撑柱围墙外侧形成的塑封层；其中在所述塑封层与所述嵌埋封装框架的下表面之间形成有与所述通孔连通的第二空腔，以及所述芯片组包括背靠背层叠设置的第一芯片和第二芯片。

本发明授权塑封空腔结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种塑封空腔结构制作方法，其特征在于，包括如下步骤： a准备嵌埋封装框架；所述嵌埋封装框架包括沿高度方向分别贯穿绝缘层的第一空腔和第一导通柱； b在所述第一空腔的底部嵌埋芯片组；所述芯片组包括层叠设置的第一芯片和第二芯片，且所述第一芯片和所述第二芯片的背面彼此贴合，使得二者的端子面彼此相背； c在所述芯片组与所述第一空腔的间隙内形成封装层；所述封装层具有暴露所述第二芯片的端子的盲孔； d在所述嵌埋封装框架的上表面形成第一线路层和第二导通柱，所述第一线路层与所述第二芯片的端子导通连接； e在所述第一线路层的上表面层压第一介质层；其中，使所述第一介质层的上表面与所述第二导通柱的上表面齐平； f在所述第一介质层的上表面形成第二线路层，在所述嵌埋封装框架的下表面形成第三线路层，并在所述第三线路层上形成围绕所述第一空腔的支撑柱围墙； g形成沿高度方向依次贯穿所述第一介质层和所述绝缘层的通孔，其中所述通孔被上述支撑柱围墙围绕； h在所述嵌埋封装框架的下方沿所述支撑柱围墙的外侧形成塑封层，在所述塑封层与所述嵌埋封装框架之间形成第二空腔。

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