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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799427B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211455159.3，技术领域涉及：H10H20/833；该发明授权发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管是由曹敏;孙建建;张铭信;陈铭胜;文国昇;金从龙设计研发完成，并于2022-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片，包括GaAs衬底和依次层叠于所述GaAs衬底上的缓冲层、截止层、N型欧姆接触层、N型粗化层、N型限制层、多量子阱层、P型限制层和P型欧姆接触层；其中，所述截止层为GaInP层，其掺杂浓度为4×101818‑6×101818cm‑3‑3，厚度为150‑200nm；所述N型欧姆接触层为N型GaP层，其掺杂浓度为4×101818‑6×101818cm‑3‑3，厚度为60‑120nm。实施本发明，可有效提升发光二极管的发光效率。

本发明授权发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括GaAs衬底和依次层叠于所述GaAs衬底上的缓冲层、截止层、N型欧姆接触层、N型粗化层、N型限制层、多量子阱层、P型限制层和P型欧姆接触层； 其中，所述缓冲层为GaAs层；所述截止层为GaInP层，其掺杂浓度为4×1018-6×1018cm-3，厚度为150-200nm；所述N型欧姆接触层为N型GaP层，其掺杂浓度为4×1018-6×1018cm-3，厚度为60-120nm； 所述N型粗化层为AlαGa1-αβIn1-βP层，所述N型限制层为AlInP层，N型限制层的掺杂元素为Si；所述P型限制层为AlInP层，所述P型限制层的掺杂元素为Mg；所述P型欧姆接触层为GaP，其掺杂元素为C； 所述截止层与所述N型欧姆接触层之间设有第一失配缓冲层，所述第一失配缓冲层为GaInP层，所述第一失配缓冲层中In组分的含量＜所述截止层中In组分的含量； 所述N型欧姆接触层和所述N型粗化层之间设有第二失配缓冲层，所述第二失配缓冲层为AlGaInP层，所述第二失配缓冲层中In组分的含量＜所述N型粗化层中In组分的含量。

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