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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692488B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210863267.8，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权半导体装置及其制造方法是由西康一;曾根田真也;古川彰彦设计研发完成，并于2022-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体装置及其制造方法。得到具有容易进行开关元件中的栅极电极的电阻值的调整的内置栅极电阻区域的半导体装置。4个内置栅极电阻沟槽8全部作为实际使用内置栅极电阻沟槽起作用。4个内置栅极电阻沟槽8的每一者的一个端部经由配线用接触部9L与栅极配线3的配线侧接触区域30电连接。另一个端部经由焊盘用接触部9P与栅极焊盘4的焊盘侧接触区域40电连接。在4个内置栅极电阻沟槽8的每一者处，配线用接触部9L和焊盘用接触部9P之间的距离被规定为接触部间距离Lr。

本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其包含绝缘栅构造的开关元件， 其中， 所述开关元件设置于第1导电型的半导体基板， 该半导体装置具有： 栅极配线，其隔着层间绝缘膜设置于所述半导体基板之上，与所述开关元件的栅极电极电连接； 栅极焊盘，其隔着所述层间绝缘膜设置于所述半导体基板之上，该栅极焊盘具有表面露出的电连接区域；以及 内置栅极电阻区域，其将所述栅极配线和所述栅极焊盘电连接， 所述内置栅极电阻区域包含并联连接于所述栅极配线及所述栅极焊盘之间的N个局部内置栅极电阻区域，其中，N≥2， 所述N个局部内置栅极电阻区域各自包含并联连接于所述栅极配线及所述栅极焊盘之间的M个内置栅极电阻沟槽， 所述栅极配线具有在俯视观察时与所述M个内置栅极电阻沟槽重叠的配线侧接触区域， 所述栅极焊盘具有在俯视观察时与所述M个内置栅极电阻沟槽重叠的焊盘侧接触区域， 所述M个内置栅极电阻沟槽各自埋入至所述半导体基板内， 所述M个内置栅极电阻沟槽中的K个作为实际使用内置栅极电阻沟槽起作用，其中，MK≥2， K个实际使用内置栅极电阻沟槽各自经由以将所述层间绝缘膜贯穿的方式设置的配线用接触部与所述栅极配线的所述配线侧接触区域电连接， K个实际使用内置栅极电阻沟槽各自经由以将所述层间绝缘膜贯穿的方式设置的焊盘用接触部与所述栅极焊盘的所述焊盘侧接触区域电连接， 在所述K个实际使用内置栅极电阻沟槽的每一者处，在所述配线用接触部和所述焊盘用接触部之间设置栅极电流路径，所述栅极电流路径中的所述配线用接触部和所述焊盘用接触部之间的距离被规定为接触部间距离， 所述M个内置栅极电阻沟槽各自在俯视观察时呈矩形，以第1方向为长边，以第2方向为短边， 所述M个内置栅极电阻沟槽具有沿所述第2方向以第1、第2、…第M的顺序配置的第1～第M内置栅极电阻沟槽， 所述M个内置栅极电阻沟槽中的至少一个为不使用内置栅极电阻沟槽，所述第1内置栅极电阻沟槽及所述第M内置栅极电阻沟槽不是至少一个不使用内置栅极电阻沟槽， 所述至少一个不使用内置栅极电阻沟槽分别与所述栅极配线及所述栅极焊盘之间不具有电连接关系。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三菱电机株式会社，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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