拓荆科技股份有限公司杨辰烨获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆科技股份有限公司申请的专利半导体设备进料块结构及进气装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115692157B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211384911.X,技术领域涉及:H01J37/32;该发明授权半导体设备进料块结构及进气装置是由杨辰烨;孙晓波;战勇;冯鹏设计研发完成,并于2022-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体设备进料块结构及进气装置在说明书摘要公布了:本发明提供了一种半导体设备进料块结构及进气装置,涉及半导体设备的技术领域,包括进料块主体和调温机构;进料块主体贯穿开设有多条输气通道,每条输气通道呈单独贯通,通过利用每个单独的输气通道分别单独输送每种气体,可以保证在进入反应腔内的气体单独进气;调温机构能够调节进料块主体的整体温度,以调节经输气通道输送的气体温度,即利用调温机构即能够对输气通道内的气体进行升温,也可以进行冷却;实现了对不同气体的更广范围的温度控制,缓解了现有技术中存在的两种及以上的气体共用一个气道输送时,会增加反应腔内部的颗粒污染,以及无法满足升温调节气体温度的技术问题。
本发明授权半导体设备进料块结构及进气装置在权利要求书中公布了:1.一种半导体设备进料块结构,其特征在于,包括:进料块主体100和调温机构; 所述进料块主体100贯穿开设有多条输气通道103,每条所述输气通道103呈单独贯通,多条所述输气通道103用于分别单独输送多种气体; 所述进料块主体100上开设有调温通道,所述调温机构通过所述调温通道与所述进料块主体100连接,所述调温机构用于调节所述进料块主体100的整体温度,以调节经所述输气通道103输送的气体温度; 所述进料块主体100包括进气部101和输送部102; 所述输气通道103包括反应气体通道113,所述反应气体通道113以所述进气部101的中心呈同心弧形布置,弧形结构的所述反应气体通道113具有间隔段104; 所述输气通道103包括工艺气体通道123;所述工艺气体通道123的入口端位于所述进气部101的一侧,所述工艺气体通道123贯穿所述间隔段104延伸至所述进气部101的中心位置,且所述工艺气体通道123以所述进气部101的中心位置沿着所述进气部101延伸贯穿所述输送部102,所述反应气体通道113环形包覆于所述工艺气体通道123的外部。
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