上海积塔半导体有限公司张洁获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利耐压IGBT器件及其沟道推进方法和栅极制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115662896B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211345231.7，技术领域涉及：H10D12/01；该发明授权耐压IGBT器件及其沟道推进方法和栅极制备方法是由张洁;刘东栋;梅佳设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本耐压IGBT器件及其沟道推进方法和栅极制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种耐压IGBT器件及其沟道推进方法和栅极制备方法。使用该沟道推进方法制备IGBT器件时，在干法刻蚀N型掺杂多晶层后，使用炉管工艺执行P阱推进形成沟道，工艺中通过调整炉管中各片晶圆之间间距，使晶圆之间的距离增加至原有工艺的至少2倍距离，并且进炉过程的氮气保护氛围中提供氧气，使得晶圆的正面形成氧化层，结合增加晶圆之间的距离和增加氧化层这两种方式，减小在P阱推进时受到相邻晶圆N型杂质掺杂的影响，从而避免器件耐压失效，提高晶圆的良率，良率稳定性收敛更好，提升器件产品的可靠性。
本发明授权耐压IGBT器件及其沟道推进方法和栅极制备方法在权利要求书中公布了：1.一种耐压IGBT器件的沟道推进方法，其特征在于，在干法刻蚀N型掺杂多晶层后，使用炉管工艺执行P阱推进形成所述沟道； 其中，炉管中晶片被设置为至少相距4.76mm，在进炉过程和低温氧化过程之间的升温过程中持续提供氧气和氮气，且在炉管工艺的进炉过程中，同时提供氧气和氮气，以使晶圆正面形成氧化保护层； 其中，所述进炉过程中的氧气与氮气的供给速度比为6:5；所述氧气的供给速度为18升分钟，所述氮气的供给速度为15升分钟；所述升温过程中的氧气和氮气供给速度相同。
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