华南师范大学霍能杰获国家专利权
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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种双栅结型场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115642184B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211301212.4，技术领域涉及：H10D30/80；该发明授权一种双栅结型场效应晶体管及其制备方法是由霍能杰;张凯;孙一鸣;李京波设计研发完成，并于2022-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双栅结型场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高性能的双栅结型场效应晶体管及其制备方法，在一优选实施例中，其包括二维Te和二维MoS22组成的双P‑N结，其由三层结构组成，上下两层为二维MoS22层，中间一层为二维Te层，层与层之间成交叉结构，MoS22层之间共用电极作为栅极；Te层作为载流子沟道层，两端电极作为源漏。该器件结构，通过调控P‑N结的正反偏，调控Te沟道层的耗尽区宽度，实现JFET的开启和关断，由于本结构没有介电层，实现了接近理想的亚阈值摆幅，且二维Te的载流子浓度高，小的源漏电压下就能够实现大的电流响应。本发明所设计的JFET，具有极小的亚阈值摆幅和大的开态电流，对于要求低功耗和大电流设计的设备至关重要。
本发明授权一种双栅结型场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双栅结型场效应晶体管，包括基底和设置于基底上的异质结，其特征在于，所述异质结由依次层叠的第一半导体类型的第一二维材料层、第二半导体类型的第二二维材料层和第一半导体类型的第三二维材料层构成，所述第一二维材料层和第三二维材料层分别与所述第二二维材料层之间呈交叉结构设置，所述第一二维材料层和第三二维材料层具有相对的第一端和第二端，其第一端之间设置有第一电极，其第二端之间设置有第二电极，第一电极与第二电极互不接触；所述第二二维材料层具有相对的第一端和第二端，所述第一端设置有第三电极，所述第二端设置有第四电极； 所述第一二维材料层和所述第三二维材料层选用二维材料MoS2层，所述第二二维材料层选用二维材料Te层；或者所述第一二维材料层和所述第三二维材料层选用二维材料Te层，所述第二二维材料层选用二维材料MoS2层。
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