西安电子科技大学芜湖研究院韩超获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院申请的专利浮动结掺杂浓度呈阶梯渐变的碳化硅功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115621298B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211213338.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权浮动结掺杂浓度呈阶梯渐变的碳化硅功率器件是由韩超;白博仪;袁昊;王东;吴勇;陶利;刘雄;陈兴;黄永设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本浮动结掺杂浓度呈阶梯渐变的碳化硅功率器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种浮动结掺杂浓度呈阶梯渐变的碳化硅功率器件，包括背面电极、N+衬底区、N‑外延区、浮动结层、表面P+区以及正面电极，其中，N+衬底区设置在背面电极的上方；N‑外延区设置在N+衬底区与正面电极之间；N‑外延区上表面内部设置有至少一个表面P+区；N‑外延区内部设置有至少一层浮动结层，浮动结层设置在表面P+区的下方，浮动结层包括至少一个P型浮动结，P型浮动结设置在表面P+区的正下方；每个P型浮动结的掺杂浓度呈阶梯渐变，沿横向方向由中间向两侧递增。本发明能够使得碳化硅功率器件总体的电场分布更加均匀，提高了碳化硅功率器件的击穿电压。
本发明授权浮动结掺杂浓度呈阶梯渐变的碳化硅功率器件在权利要求书中公布了：1.一种浮动结掺杂浓度呈阶梯渐变的碳化硅功率器件，其特征在于，包括背面电极1、N+衬底区2、N-外延区3、浮动结层100、表面P+区5以及正面电极6，其中， 所述N+衬底区2设置在所述背面电极1的上方；所述N-外延区3设置在所述N+衬底区2与所述正面电极6之间；所述N-外延区3上表面内部设置有至少一个所述表面P+区5； 所述N-外延区3内部设置有至少一层所述浮动结层100，所述浮动结层100设置在所述表面P+区5的下方，所述浮动结层100包括至少一个P型浮动结4，所述P型浮动结4设置在所述表面P+区5的正下方； 每个P型浮动结4的掺杂浓度呈阶梯渐变，沿横向方向由中间向两侧递增。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学芜湖研究院，其通讯地址为：241002 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园7号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励