西安电子科技大学芜湖研究院韩超获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院申请的专利一种浮动结厚度渐变的碳化硅功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115602707B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211214199.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种浮动结厚度渐变的碳化硅功率器件是由韩超;白博仪;袁昊;王东;吴勇;陶利;刘雄;陈兴;黄永设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种浮动结厚度渐变的碳化硅功率器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种浮动结厚度渐变的碳化硅功率器件，包括：N+碳化硅衬底层；N‑碳化硅外延层位于N+碳化硅衬底层之上；A层P型碳化硅浮动结层沿垂直方向设置在所述N‑碳化硅外延层内，每层P型碳化硅浮动结层包括B个P型碳化硅浮动结结构，P型碳化硅浮动结结构沿中心轴线对称且为厚度渐变的结构；背面电极位于N+碳化硅衬底层的下表面；正面电极位于N‑碳化硅外延层之上。本发明使浮动结的厚度由浮动结中心至浮动结边缘逐渐增大，从而降低器件在反向工作状态时浮动结中心处对应电极位置较高的电场峰值，于此同时浮动结之间的外延层漂移区耗尽更为充分，使浮动结间距中心与边缘位置电场峰值被抬高。
本发明授权一种浮动结厚度渐变的碳化硅功率器件在权利要求书中公布了：1.一种浮动结厚度渐变的碳化硅功率器件，其特征在于，所述碳化硅功率器件包括： N+碳化硅衬底层； N-碳化硅外延层，所述N-碳化硅外延层位于所述N+碳化硅衬底层之上； A层P型碳化硅浮动结层，所述A层P型碳化硅浮动结层沿垂直方向设置在所述N-碳化硅外延层内，每层所述P型碳化硅浮动结层包括B个P型碳化硅浮动结结构，所述P型碳化硅浮动结结构沿中心轴线对称且为厚度渐变的结构，其中，A和B均为大于或者等于1的整数； 背面电极，所述背面电极位于所述N+碳化硅衬底层的下表面，所述背面电极与所述N+碳化硅衬底层为欧姆接触； 正面电极，所述正面电极位于所述N-碳化硅外延层上，所述正面电极在所述N-碳化硅外延层上的区域为肖特基接触； 所述P型碳化硅浮动结结构的厚度由中心至边缘呈逐渐增大的趋势。
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