中微半导体设备(上海)股份有限公司杨宽获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种等离子体处理装置及处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115565840B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110747723.8，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种等离子体处理装置及处理方法是由杨宽;范光伟;倪图强设计研发完成，并于2021-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种等离子体处理装置及处理方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种等离子体处理装置，包括一真空反应腔，所述真空反应腔内设置一导电基座；一主射频传输棒，与至少一射频电源电连接，用于将第一射频信号施加至所述导电基座；环绕所述基座设置边缘环；边缘环下方设置一边缘射频传输线，所述边缘射频传输线通过一阻抗调节模块将第二射频信号施加至所述边缘环，所述阻抗调节模块，位于所述导电基座下方的大气环境，包括至少一耐高压可调电容组件；所述边缘射频传输线位于所述真空反应腔内部的部分套设有介电套筒；主射频传输棒包括空心结构，所述边缘射频传输线至少部分地位于所述主射频传输棒内部。本发明的边缘射频调节机制可以主动调节边缘环上方的鞘层高度，且能适应较高电压的射频环境。
本发明授权一种等离子体处理装置及处理方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子体处理装置，其特征在于：包括： 真空反应腔，所述真空反应腔内设置一下电极组件，所述下电极组件包括一导电基座； 主射频传输棒，与至少一射频电源电连接，用于将第一射频信号施加至所述导电基座，所述主射频传输棒包括空心结构； 边缘环，环绕所述下电极组件设置；所述边缘环下方设置一射频分布环，所述射频分布环表面设有绝缘涂层，或设有石墨涂层；所述射频分布环具有导电性，包括导体材质或半导体材质； 阻抗调节模块，位于所述导电基座下方的大气环境，包括至少一耐高压可调电容组件； 边缘射频传输线，通过所述阻抗调节模块与所述射频分布环电连接，以将第二射频信号施加至所述边缘环，所述边缘射频传输线位于真空环境的传输线外套设有介电套筒，所述边缘射频传输线位于大气环境的传输线至少部分地位于所述主射频传输棒的空心结构内部。
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