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龙图腾网获悉瀚昕微电子(无锡)有限公司申请的专利低压差无片外电容LDO电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115562426B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211191502.8，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权低压差无片外电容LDO电路是由王强;朱宁设计研发完成，并于2022-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本低压差无片外电容LDO电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种低压差无片外电容LDO电路，包括带隙基准电路、误差放大器EA、由PMOS管M1和PMOS管M2构成的缓冲级，由功率PMOS管M0和反馈电阻R1、反馈电阻R2和补偿器件构成的功率输出级；以及衬底调制放大器和保护电路。本发明所提供的低压差无片外电容LDO电路，在现有技术基础上，一方面采用功率调整管衬底调制技术，降低功率调整管的开启电压，进而实现降低LDO压差电压的目标；另一方面采用多种保护电路，增加LDO电路的可靠性。

本发明授权低压差无片外电容LDO电路在权利要求书中公布了：1.低压差无片外电容LDO电路，包括：带隙基准电路1，误差放大器2，由PMOS管M1和PMOS管M2构成的缓冲级，由功率PMOS管M0和反馈电阻R1、反馈电阻R2和补偿器件4构成的功率输出级，以及衬底调制放大器和保护电路3； 所述带隙基准电路1产生参考电压VREF、偏置电压VB和参考电压VB1；参考电压VREF分别连接到误差放大器2的负端和保护电路3，误差放大器2的正端连接反馈电压VFB，所述误差放大器2根据参考电压VREF和反馈电压VFB输出误差放大信号VEA并连接到缓冲级的输入端，即PMOS管M2栅极，PMOS管M2源极连接PMOS管M1漏极，并作为缓冲级的输出端输出VG，连接到功率输出级的输入端，即功率PMOS管M0的栅极，PMOS管M1栅极连接偏置电压VB；功率输出级内部包括：功率PMOS管M0的源极、PMOS管M1源极连接电源电压VDD，功率PMOS管M0的漏极连接反馈电阻R1的上端，并作为LDO电路的输出端口输出Vout，还连接到起频率稳定作用的补偿器件4，反馈电阻R1下端连接反馈电阻R2上端，并作为反馈电压VFB的产生节点，反馈电阻R2下端、PMOS管M2漏极连接地电压VSS；所述功率输出级根据VG和电源电压VDD的状态产生LDO电路的输出电压Vout和反馈电压VFB；所述衬底调制放大器是一个差分输入单端输出的差分放大电路，衬底调制放大器的一个差分输入端连接参考电压VREF，另一个差分输入端连接反馈电压VFB，衬底调制放大器的输出端连接到功率PMOS管M0的衬底；所述保护电路3用于监测芯片的工作温度、电压、电流状态并和参考电压VREF比较，得到芯片状态输出信号。

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