西安电子科技大学马晓华获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利低欧姆接触电阻的氧化镓基功率晶体管的制作方法及器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513055B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210985212.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权低欧姆接触电阻的氧化镓基功率晶体管的制作方法及器件是由马晓华;何云龙;陆小力;郑雪峰;李园;郝跃设计研发完成，并于2022-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本低欧姆接触电阻的氧化镓基功率晶体管的制作方法及器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种低欧姆接触的氧化镓功率晶体管的制作方法及器件，采用外延设备在Fe掺杂的β‑Ga22O33衬底上方生长一层β‑Ga22O33UID层，然后在UID层上方生长一层轻掺杂的沟道层，之后通过外延设备生长一层Si掺杂的GaN层；由于GaN的自发极化效应以及掺杂相对容易，因此很容易获得重掺杂的GaN层，本发明通过对GaN层在高温下的氧气氛围退火从而形成重掺杂的Ga22O33帽层，缩小了二者之间的晶格失配，作为欧姆接触层，然后通过在其上沉积TiAu金属叠层形成良好的欧姆接触，从而降低器件的导通电阻，之后完成栅极制作并引出电极以形成低欧姆接触的氧化镓功率晶体管。
本发明授权低欧姆接触电阻的氧化镓基功率晶体管的制作方法及器件在权利要求书中公布了：1.一种低欧姆接触电阻的氧化镓基功率晶体管的制作方法，其特征在于，包括： 步骤1：获取β-Ga2O3衬底； 步骤2：在所述β-Ga2O3衬底上生长一层非故意掺杂UID层； 步骤3：在所述UID层上生长一层轻掺杂的β-Ga2O3层作为沟道层； 步骤4：在所述沟道层上生长一层重掺杂的GaN帽层，并将其放置在氧气氛围内进行退火，得到重掺杂Ga2O3帽层； 步骤5：刻蚀除欧姆区域以外区域的重掺杂的Ga2O3帽层，保留欧姆区域的重掺杂Ga2O3帽层； 步骤6：在欧姆区域的重掺杂Ga2O3帽层上方沉积TiAu金属叠层，并进行热退火形成欧姆接触的源电极以及漏电极； 步骤7：在欧姆区域以外的有源区域生长一层Al2O3作为介质层，并刻蚀去除源漏区域的介质层； 步骤8：在所述介质层上沉积NiAu叠层做栅金属，并制作互连引线，完成低欧姆接触电阻的氧化镓基功率晶体管的制作。
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