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龙图腾网获悉清华大学申请的专利非易失静态随机存取存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115512740B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211268492.3，技术领域涉及：G11C11/22；该发明授权非易失静态随机存取存储器是由李学清;王健丰;修懦;刘勇攀;杨华中设计研发完成，并于2022-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本非易失静态随机存取存储器在说明书摘要公布了：本公开涉及一种非易失静态随机存取存储器，所述存储器包括：多个存储模块，每个存储模块均包括开关单元、存储单元及备份重载单元，所述存储单元用于执行静态随机存取操作；所述备份重载单元包括两个晶体管、且其中一个晶体管为铁电场效应晶体管，所述备份重载单元用于在所述存储器掉电时执行数据备份操作，并在所述存储器上电时执行数据重载操作；控制模块，用于控制所述开关单元、所述备份重载单元中的晶体管，以执行所述静态随机存取操作、所述数据备份操作、所述数据重载操作的至少一种。本公开实施例可以降低晶体管开销，减少存储模块的面积开销，提高存储密度，并可达到飞焦级别的功耗。

本发明授权非易失静态随机存取存储器在权利要求书中公布了：1.一种非易失静态随机存取存储器，其特征在于，所述存储器包括： 多个存储模块，每个存储模块均包括开关单元、存储单元及备份重载单元，所述开关单元连接于所述存储单元及所述备份重载单元，所述备份重载单元连接于所述存储单元，其中：所述存储单元用于执行静态随机存取操作，以存取数据；所述备份重载单元仅包括两个晶体管、且其中一个晶体管为铁电场效应晶体管，所述备份重载单元用于在所述存储器掉电时执行数据备份操作，以利用所述铁电场效应晶体管的极化特性备份所述存储单元中的数据，并在所述存储器上电时执行数据重载操作，以将所述备份重载单元中的数据写入所述存储单元； 控制模块，连接于各个存储模块，用于控制所述开关单元、所述备份重载单元中的晶体管，以执行所述静态随机存取操作、所述数据备份操作、所述数据重载操作的至少一种， 各个存储模块还包括第一位线、第二位线、第一字线、第二字线、第三字线和第四字线，所述开关单元包括第一晶体管、第二晶体管，所述备份重载单元仅包括第三晶体管、第四晶体管，所述第三晶体管为铁电场效应晶体管，所述存储单元包括第一反相器、第二反相器，其中，所述第一晶体管的漏极与所述第一位线相连，所述第一晶体管的栅极与所述第一字线相连，所述第一晶体管的源极与所述第一反相器的输入端和所述第二反相器的输出端相连；所述第二晶体管的漏极与所述第二位线相连，所述第二晶体管的栅极与所述第一字线相连，所述第二晶体管的源极与所述第一反相器的输出端、所述第二反相器的输入端和所述第三晶体管的漏极相连；所述第三晶体管的栅极与所述第二字线相连，所述第三晶体管的源极与所述第四晶体管的漏极相连；所述第四晶体管的栅极与所述第三字线相连，所述第四晶体管的源极与所述第四字线相连，所述第四晶体管的漏极与所述第三晶体管的源极相连。

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