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龙图腾网获悉北京晨晶电子有限公司申请的专利三维电极的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115497819B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211073915.6，技术领域涉及：H10P14/40；该发明授权三维电极的制备方法是由尚帅;郄立伟;王天宇;裴志强;李永增;赵黎明;张琳琳设计研发完成，并于2022-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维电极的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，提供一种三维电极的制备方法，包括：制作晶圆掩膜版，其中，晶圆掩膜版设有多个第一镂空图形，每个第一镂空图形的形状与电极的横截面形状相匹配，每个第一镂空图形的位置与电极在待镀膜晶圆上的目标位置相同；将晶圆掩膜版与待镀膜晶圆的表面临时键合；在待镀膜晶圆与第一镂空图形相对的位置蒸镀电极。本发明提供的三维电极的制备方法，通过制作晶圆掩膜版，并将晶圆掩膜版与待镀膜晶圆的表面临时键合，使晶圆掩膜版与待镀膜晶圆之间没有缝隙且不会相对移动，实现了电极在待镀膜晶圆上的亚微米级的精准布局，进而减小了蒸镀的电极位置与目标位置的差距，提高了在待镀膜晶圆上制备三维电极的精准性。

本发明授权三维电极的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维电极的制备方法，其特征在于，包括： 制作晶圆掩膜版，其中，所述晶圆掩膜版设有多个第一镂空图形，每个所述第一镂空图形的形状与电极的横截面形状相匹配，每个所述第一镂空图形的位置与电极在待镀膜晶圆上的目标位置相同； 所述制作晶圆掩膜版的步骤包括： 清洗晶圆； 在所述晶圆上制备金属抗蚀层； 在所述金属抗蚀层上涂覆光刻胶； 利用光刻的方法在所述光刻胶上制备多个第二镂空图形，多个所述第二镂空图形与多个所述第一镂空图形位置相同，且所述第二镂空图形的形状与所述第一镂空图形的形状相同； 以所述光刻胶为掩膜，在所述金属抗蚀层与所述第二镂空图形相对的位置刻蚀多个第三镂空图形，所述第三镂空图形的形状与所述第二镂空图形的形状相同； 以所述金属抗蚀层为掩膜，在所述晶圆与所述第三镂空图形相对的位置刻蚀所述第一镂空图形，得到所述晶圆掩膜版； 将所述晶圆掩膜版与所述待镀膜晶圆的表面临时键合； 在所述待镀膜晶圆与所述第一镂空图形相对的位置蒸镀电极。

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