上海科技大学寇煦丰获国家专利权
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龙图腾网获悉上海科技大学申请的专利一种基于拓扑绝缘体/二维铁磁异质结的可调人工神经网络元器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472642B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211010680.6，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权一种基于拓扑绝缘体/二维铁磁异质结的可调人工神经网络元器件是由寇煦丰;黄浦阳;刘馨琪设计研发完成，并于2022-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于拓扑绝缘体/二维铁磁异质结的可调人工神经网络元器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于拓扑绝缘体二维铁磁异质结的可调人工神经网络元器件。本发明的可调人工神经网络元器件，由下至上依次包括衬底晶圆、二维铁磁层、拓扑绝缘体层和金属层；其中，所述的二维铁磁层采用碲化铬CrTe22或者铁锗碲Fe33GeTe22材料；所述的拓扑绝缘体层采用碲化铋Bi22Te33或者硒化铋Bi22Se33材料；所述的元器件通过拓扑绝缘体层产生的自旋轨道力矩对二维铁磁磁矩的调控，对应的多态磁畴翻转曲线可以实现突触的功能；同时二维铁磁材料的内禀磁性赋能数据训练中可调的激活函数，进而提升神经网络的训练效率和准确度。与传统的RRAM相比，本发明的元器件实现了激活函数可调功能，且具有更高的线性度和热稳定性。
本发明授权一种基于拓扑绝缘体/二维铁磁异质结的可调人工神经网络元器件在权利要求书中公布了：1.一种基于拓扑绝缘体二维铁磁异质结的可调人工神经网络元器件，其特征在于，由下至上依次包括衬底晶圆、二维铁磁层、拓扑绝缘体层和金属层； 其中，所述的二维铁磁层采用碲化铬CrTe2或者铁锗碲Fe3GeTe2材料； 所述的拓扑绝缘体层采用碲化铋Bi2Te3或者硒化铋Bi2Se3材料； 所述的元器件通过拓扑绝缘体层产生的自旋轨道力矩对二维铁磁磁矩的调控，对应的多态磁畴翻转曲线可以实现突触的功能；同时二维铁磁材料的内禀磁性赋能数据训练中可调的激活函数，进而提升神经网络的训练效率和准确度。
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