田中贵金属工业株式会社栉引了辅获国家专利权
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龙图腾网获悉田中贵金属工业株式会社申请的专利面内磁化膜、面内磁化膜多层结构、硬偏置层、磁阻效应元件和溅射靶获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115461882B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180031695.8，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权面内磁化膜、面内磁化膜多层结构、硬偏置层、磁阻效应元件和溅射靶是由栉引了辅;金光谭;镰田知成设计研发完成，并于2021-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本面内磁化膜、面内磁化膜多层结构、硬偏置层、磁阻效应元件和溅射靶在说明书摘要公布了：本发明提供能够在不进行加热成膜的情况下实现矫顽力Hc为2.00kOe以上且每单位面积的剩磁Mrt为2.00memucm22以上的磁性能的面内磁化膜。该面内磁化膜是作为磁阻效应元件12的硬偏置层14使用的面内磁化膜，其中，含有金属Co、金属Pt和氧化物，厚度为20nm以上且80nm以下，相对于该面内磁化膜的金属成分的合计，含有45原子％以上且80原子％以下的金属Co，含有20原子％以上且55原子％以下的金属Pt，相对于该面内磁化膜的整体，含有3体积％以上且25体积％以下的上述氧化物，该面内磁化膜的磁性晶粒的面内方向的平均粒径为15nm以上且30nm以下。
本发明授权面内磁化膜、面内磁化膜多层结构、硬偏置层、磁阻效应元件和溅射靶在权利要求书中公布了：1.一种面内磁化膜，其是作为磁阻效应元件的硬偏置层使用的面内磁化膜，其特征在于， 含有金属Co、金属Pt和氧化物，厚度为20nm以上且80nm以下， 相对于该面内磁化膜的金属成分的合计，含有45原子％以上且80原子％以下的金属Co，含有20原子％以上且55原子％以下的金属Pt， 相对于该面内磁化膜的整体，含有3体积％以上且25体积％以下的所述氧化物， 该面内磁化膜的磁性晶粒的面内方向的平均粒径为15nm以上且30nm以下。
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