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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种浓度渐变型外延层结构的碳化硅功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458610B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211060681.1，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种浓度渐变型外延层结构的碳化硅功率器件是由宋庆文;王炫杰;汤晓燕;袁昊;董泽琦;张玉明设计研发完成，并于2022-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种浓度渐变型外延层结构的碳化硅功率器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种浓度渐变型外延层结构的碳化硅功率器件，包括：包括：用于形成有源区和终端区的N型衬底、肖特基接触阳极层、欧姆接触阴极层、外延层、氧化物层、表面终端层和P型掺杂层；终端区位于有源区外围；欧姆接触阴极层设置于N型衬底下方，外延层设置于N型衬底上方；表面终端层设置于外延层的内部顶端，肖特基接触阳极层和氧化物层均设置于外延层上方，且氧化物层设置于肖特基接触阳极层两侧；P型掺杂层，内置于有源区对应的第一外延层部分的内部顶端；其中，外延层中的N型浓度，从第一外延层部分至终端区对应的第二外延层部分逐渐减小。本发明可以提高器件的雪崩耐受性。

本发明授权一种浓度渐变型外延层结构的碳化硅功率器件在权利要求书中公布了：1.一种浓度渐变型外延层结构的碳化硅功率器件，其特征在于，包括：N型衬底1、肖特基接触阳极层2、欧姆接触阴极层3、外延层4、氧化物层5、表面终端层6和P型掺杂层7； 其中，所述N型衬底1、所述肖特基接触阳极层2、所述欧姆接触阴极层3、所述外延层4、所述氧化物层5和所述表面终端层6，用于形成有源区和终端区，所述终端区位于所述有源区外围； 所述欧姆接触阴极层3设置于所述N型衬底1下方，所述外延层4设置于所述N型衬底1上方； 所述表面终端层6设置于所述外延层4的内部顶端，所述肖特基接触阳极层2和所述氧化物层5均设置于所述外延层4上方，且所述氧化物层5设置于所述肖特基接触阳极层2两侧； 所述P型掺杂层7，设置于所述有源区对应的第一外延层部分41的内部顶端； 其中，所述外延层4的N型浓度，从所述第一外延层部分41至所述终端区对应的第二外延层部分42，逐渐减小，所述第一外延层部分41的中心部分的N型浓度为cm3~cm3；所述第二外延层部分42中，远离所述第一外延层部分41的外侧部分的N型浓度为cm3~cm3。

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