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龙图腾网获悉杭州芯迈半导体技术有限公司申请的专利一种MOSFET结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458410B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211248859.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种MOSFET结构及其制作方法是由陈辉设计研发完成，并于2022-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MOSFET结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种MOSFET结构及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供衬底，在衬底上自下而上依次形成漂移层、体区及源区；形成栅极沟槽、栅介质层及栅导电层；形成源极沟槽；形成肖特基金属层；形成源极金属层。本申请在漂移层的侧壁及体区的侧壁形成肖特基金属层，肖特基金属层与漂移层形成肖特基二极管，可以改善MOSFET结构的反向恢复特性，肖特基金属层还与体区形成肖特基接触，使得源区和体区存在势垒差异体区电位降低，有助于抑制闩锁效应，提升器件的雪崩能力。此外，由于体区的侧壁全部被肖特基金属层所覆盖，本申请的MOSFET结构的制作方法无需分两步分别在体区的侧壁形成肖特基接触和欧姆接触，工艺步骤简单。

本发明授权一种MOSFET结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供第一导电类型衬底，在所述衬底上自下而上依次形成第一导电类型漂移层、第二导电类型体区及第一导电类型源区，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反； 形成栅极沟槽，所述栅极沟槽垂向贯穿所述源区及所述体区，并向下延伸至所述漂移层中； 依次形成栅介质层及栅导电层于所述栅极沟槽中； 形成源极沟槽，所述源极沟槽垂向贯穿所述源区及所述体区，并向下延伸至所述漂移层中，所述源极沟槽在水平方向上与所述栅极沟槽间隔设置； 形成肖特基金属层于所述源极沟槽的侧壁的预设区域，所述预设区域包括被所述源极沟槽显露的所述漂移层的侧壁及被所述源极沟槽显露的所述体区的侧壁，所述肖特基金属层的顶端不低于所述源区的底端以使所述体区朝向所述源极沟槽的一侧的侧壁全部被所述肖特基金属层所覆盖，但所述肖特基金属层未覆盖所述源区的全部侧壁，且所述肖特基金属层未覆盖所述源极沟槽的底壁，所述源极沟槽相对两侧壁的所述肖特基金属层之间具有间隙； 形成源极金属层，所述源极金属层填充进所述源极沟槽中以与所述肖特基金属层及所述源区电连接，所述源极金属层还穿过所述间隙并覆盖所述沟槽的底壁； 还包括以下步骤：于所述漂移层中形成第二导电类型柱，所述第二导电类型柱的底面高于所述漂移层的底面，其中，所述源极沟槽的形成顺序后于所述第二导电类型柱的形成顺序，所述源极沟槽贯穿所述第二导电类型柱的上部以使所述第二导电类型柱的顶面低于所述漂移层的顶面。

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