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SKC索密思株式会社李乾坤获国家专利权

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龙图腾网获悉SKC索密思株式会社申请的专利空白掩模、使用其的光掩模以及半导体元件的制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115453817B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210641897.0,技术领域涉及:G03F1/54;该发明授权空白掩模、使用其的光掩模以及半导体元件的制造方法是由李乾坤;崔石荣;李亨周;金修衒;孙晟熏;金星润;郑珉交;曹河铉;金泰完;申仁均设计研发完成,并于2022-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。

空白掩模、使用其的光掩模以及半导体元件的制造方法在说明书摘要公布了:本发明涉及空白掩模、使用其的光掩模以及半导体元件的制造方法,所述空白掩模包括透光基板以及配置在所述透光基板上的遮光膜。遮光膜包含过渡金属、氧以及氮中的至少任意一种。根据下述式1‑1的遮光膜的SA1值为60mNm至90mNm。[式1‑1]SA1=γSLSL×tanθ。在上述式1‑1中,所述γSLSL是所述遮光膜和纯水purewater之间的界面能,所述θ是用纯水测量的所述遮光膜的接触角。所述空白掩模等在用清洗溶液清洗遮光膜时具有优异的清洗效果。另外,能够有效地抑制遮光膜被清洗之后残留的清洗溶液损伤。

本发明授权空白掩模、使用其的光掩模以及半导体元件的制造方法在权利要求书中公布了:1.一种空白掩模,其中,包括: 透光基板;以及 遮光膜,配置在所述透光基板上, 所述遮光膜包含过渡金属、氧以及氮中的至少任意一种, 根据下述式1-1的所述遮光膜的SA1值为60mNm至90mNm: [式1-1] 在上述式1-1中, 所述γSL是所述遮光膜和纯水之间的界面能, 所述θ是用纯水测量的所述遮光膜的接触角, 所述θ的值为70°以上。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人SKC索密思株式会社,其通讯地址为:韩国京畿道;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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