中科苏州微电子产业技术研究院马中发获国家专利权
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龙图腾网获悉中科苏州微电子产业技术研究院申请的专利一种基于金刚石的横向HEMT器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440812B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211231907.X，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种基于金刚石的横向HEMT器件及其制造方法是由马中发设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于金刚石的横向HEMT器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于金刚石的横向HEMT器件及其制造方法，它由下至上依次包括不惨杂绝缘衬底、buffer层、AL‑金刚石层，以及形成于所述AL‑金刚石层上的源极、栅极和漏极，所述不惨杂绝缘衬底和buffer层由金刚石制成的。该器件结构简单，制造工艺简单，成本较低，由于金刚石导热特性好，可以不需额外的散热装置，节省器件及后续工作模块体积，提高功率密度。
本发明授权一种基于金刚石的横向HEMT器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基于金刚石的横向HEMT器件，其特征在于：它由下至上依次包括不掺杂绝缘衬底、buffer层、Al-金刚石层，以及形成于所述Al-金刚石层上的源极、栅极和漏极，所述不掺杂绝缘衬底和buffer层由金刚石制成的；所述Al-金刚石层的淀积方式为物理气相淀积，靶材为Al和金刚石，两者的比例为1:9~3:7。
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