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龙图腾网获悉罗伯特·博世有限公司申请的专利用于制造至少一个第一和第二微镜设备的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115427345B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180029195.0，技术领域涉及：B81B3/00；该发明授权用于制造至少一个第一和第二微镜设备的方法是由H·施塔尔;R·施特劳布设计研发完成，并于2021-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于制造至少一个第一和第二微镜设备的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于制造至少一个第一205和第二微镜设备206的方法。在此，提供尤其是板状的、具有前侧110和背侧120的硅晶片100。然后，将氧化硅层130施加到所述硅晶片100、101的至少所述前侧110上。随后，如此去除所述氧化硅层130，使得产生所述氧化硅层130的至少一个第一分离区域131和至少一个第二分离区域132，其中，所述氧化硅层130的第一131和第二分离区域132在空间上、沿着分离平面140彼此分离地布置。然后，将硅层150施加到所述硅晶片101的前侧110和所述氧化硅层130上。随后，将蚀刻掩模180施加70到所述硅晶片100的背侧120上，其中，所述蚀刻掩模180沿着所述氧化硅层130的第一131和第二分离区域132的所述分离平面140具有第一开口190。随后，根据在所述硅晶片100、101的背侧120上的所述蚀刻掩模180并且根据所述硅晶片100的氧化硅层130、尤其是所述氧化硅层130的第一131和第二分离区域132，借助蚀刻方法来去除80所述硅层150、350和所述硅晶片100、101，使得产生至少一个第一205和第二微镜设备206。

本发明授权用于制造至少一个第一和第二微镜设备的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造至少一个第一微镜设备205,300和第二微镜设备206的方法，其中，所述方法具有以下方法步骤： -提供具有前侧110和背侧120的硅晶片100,101，并且 -将氧化硅层130施加到所述硅晶片100,101的至少所述前侧110上，并且 -去除所述氧化硅层130，使得产生所述氧化硅层130的至少一个第一分离区域131和至少一个第二分离区域132，其中，所述氧化硅层130的所述第一分离区域131和所述第二分离区域132在空间上沿着分离平面140彼此分离地布置，并且 -将硅层150,350施加到所述硅晶片100,101的所述前侧110和所述氧化硅层130的所述第一分离区域131和所述第二分离区域132上，并且 -将蚀刻掩模180施加到所述硅晶片100的背侧120上，其中，所述蚀刻掩模180沿着所述氧化硅层130的第一分离区域131和第二分离区域132的所述分离平面140具有第一开口190，并且 -根据在所述硅晶片100,101的所述背侧120上的所述蚀刻掩模180并且根据所述硅晶片100,101的所述氧化硅层130的所述第一分离区域131和第二分离区域132，借助蚀刻方法来去除所述硅层150,350和所述硅晶片100,101，使得产生至少一个第一微镜设备205,300和第二微镜设备206， 其中，所述蚀刻掩模180还包括至少一个附加的开口，用于将所述第一微镜设备205,300的加固结构分离成所述加固结构的第一分离区域和第二分离区域，其中，所述加固结构包括至少两个彼此平行延伸的加固支柱。

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