武汉华星光电技术有限公司李治福获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利薄膜晶体管及其电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115425090B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211048378.X，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权薄膜晶体管及其电子器件是由李治福;刘广辉;艾飞;宋德伟;罗成志设计研发完成，并于2022-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜晶体管及其电子器件在说明书摘要公布了：本申请提出了一种薄膜晶体管及其电子器件；薄膜晶体管包括绝缘衬底和设置在绝缘衬底上的有源层，有源层包括叠层设置的第一有源层、沟道层和第二有源层，第一有源层包括第一掺杂部和第二掺杂部，第一掺杂部与沟道层、第二掺杂部连接，以及第一掺杂部内的掺杂离子浓度小于第二掺杂部内的离子掺杂浓度；本申请通过将第一有源层设置为包括掺杂离子浓度不同的第一掺杂部和第二掺杂部，相当于增大了“沟道区”的沟道长度，从而减小漏电流，并提高了薄膜晶体管的“沟道区”的迁移率。
本发明授权薄膜晶体管及其电子器件在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括： 绝缘衬底；以及 有源层，设置于所述绝缘衬底上，所述有源层包括叠层设置的第一有源层、沟道层和第二有源层，所述第一有源层包括第一掺杂部和第二掺杂部，所述第一掺杂部与所述沟道层、所述第二掺杂部连接，以及所述第一掺杂部内的掺杂离子浓度小于所述第二掺杂部内的掺杂离子浓度，所述第一掺杂部与所述第二掺杂部同层设置在所述绝缘衬底上； 栅极层，呈环形绝缘设置在所述沟道层的周侧，所述栅极层包括连接成一体的第一栅极部和第二栅极部，所述第一栅极部设置于所述绝缘衬底的上方，所述第二栅极部绝缘设置于所述第二掺杂部的上方； 其中，在垂直于所述绝缘衬底的方向上，所述第二掺杂部的厚度小于所述第一掺杂部的厚度，且所述沟道层在所述第一栅极部上的正投影位于所述第一栅极部内，以及所述沟道层在所述第二栅极部上的正投影位于所述第二栅极部内。
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