中国科学院微电子研究所李永亮获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种晶体管及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115425080B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211009051.1，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权一种晶体管及半导体器件是由李永亮;陈安澜设计研发完成，并于2022-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶体管及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶体管及半导体器件，涉及半导体技术领域，用于解决半导体器件中环栅晶体管与另一具有较厚的栅介质层和或栅极的晶体管的兼容性较差的问题，降低上述两种晶体管的集成难度。所述晶体管件包括：有源结构、隔离层和栅堆叠结构。其中，有源结构包括源区、漏区、以及位于源区和漏区之间的至少两层沟道层。至少两层沟道层分别与源区和漏区接触。相邻两层沟道层之间具有第一间隙。隔离层至少包括第一隔离层。第一隔离层至少填充满第一间隙。至少两层沟道层和隔离层构成第一鳍状结构。栅堆叠结构横跨在第一鳍状结构上。所述晶体管应用至半导体器件中。
本发明授权一种晶体管及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，其特征在于，包括：有源结构、隔离层和栅堆叠结构；其中， 所述有源结构包括源区、漏区、以及位于所述源区和所述漏区之间的至少两层沟道层；所述至少两层沟道层分别与所述源区和所述漏区接触；相邻两层所述沟道层之间具有第一间隙； 所述隔离层至少包括第一隔离层；所述第一隔离层至少填充满所述第一间隙；所述至少两层沟道层和所述隔离层构成第一鳍状结构；所述隔离层和所述栅堆叠结构之间具有分界面； 所述栅堆叠结构横跨在所述第一鳍状结构上； 所述晶体管还包括半导体基底；位于底层的所述沟道层与所述半导体基底接触；或，位于底层的所述沟道层与所述半导体基底之间具有第二间隙，所述第一隔离层还填充满所述第二间隙； 沿着平行于所述沟道层的长度、宽度或高度方向，所述第一隔离层包括第一隔离部、以及位于所述第一隔离部两侧的第二隔离部；所述第一隔离部的材质与所述第二隔离部的材质不同。
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