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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种晶体管及半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115424933B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211009056.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种晶体管及半导体器件的制造方法是由李永亮;陈安澜设计研发完成，并于2022-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶体管及半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶体管及半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，用于解决半导体器件中环栅晶体管与另一具有较厚的栅介质层和或栅极的晶体管的兼容性较差的问题，降低上述两种晶体管的集成难度。所述晶体管的制造方法包括：提供一半导体基底。在半导体基底上形成有源结构和隔离层。有源结构包括源区、漏区、以及位于源区和漏区之间的至少两层沟道层。至少两层沟道层分别与源区和漏区接触。相邻两层沟道层之间具有第一间隙。隔离层至少包括第一隔离层。第一隔离层至少填充满第一间隙。至少两层沟道层和隔离层构成第一鳍状结构。形成横跨在第一鳍状结构上的栅堆叠结构。

本发明授权一种晶体管及半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管的制造方法，其特征在于，包括： 提供一半导体基底； 在所述半导体基底上形成有源结构和隔离层；所述有源结构包括源区、漏区、以及位于所述源区和所述漏区之间的至少两层沟道层；所述至少两层沟道层分别与所述源区和所述漏区接触；相邻两层所述沟道层之间具有第一间隙；所述隔离层至少包括第一隔离层；所述第一隔离层至少填充满所述第一间隙；所述至少两层沟道层和所述隔离层构成第一鳍状结构； 形成横跨在所述第一鳍状结构上的栅堆叠结构；所述第一隔离层和所述栅堆叠结构之间具有分界面； 其中，在所述半导体基底上形成所述隔离层包括：在所述半导体基底上至少形成鳍部；所述鳍部包括至少一层牺牲层和所述至少两层沟道层；沿着所述半导体基底的厚度方向，所述牺牲层和所述沟道层交替层叠设置；所述鳍部中位于顶层的膜层为所述沟道层；对每层所述牺牲层进行第一绝缘处理，以至少形成所述第一隔离层； 所述对每层所述牺牲层进行第一绝缘处理包括：沿着鳍部的宽度方向，对每层所述牺牲层的两侧边缘区域进行选择性刻蚀，以使得每层所述牺牲层的剩余部分的侧壁相对于所述沟道层的侧壁向内凹入，形成凹口；采用氧化工艺对每层所述牺牲层的剩余部分进行第二绝缘处理，以使得每层所述牺牲层的剩余部分形成第一隔离部；至少在所述凹口内形成第二隔离部；所述第二隔离部的材质不同于所述第一隔离部的材质；所述第一隔离层包括所述第一隔离部和所述第二隔离部。

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