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龙图腾网获悉中国核电工程有限公司申请的专利一种变截面屏蔽装置以及核设施屏蔽系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115410737B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211014775.5，技术领域涉及：G21F1/04；该发明授权一种变截面屏蔽装置以及核设施屏蔽系统是由田英男;谢思洋;常叶笛;王晓霞;邱林;米爱军;王炳衡;刘耸;尤伟;陈宗欢;朱治钢;王雅霄;高桂玲;李晓静;李卓然;刘雪凇设计研发完成，并于2022-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种变截面屏蔽装置以及核设施屏蔽系统在说明书摘要公布了：本发明公开一种变截面屏蔽装置，包括：屏蔽装置本体，屏蔽装置本体安装于贯穿孔洞内，用于屏蔽电离辐射，屏蔽装置本体沿贯穿孔洞的轴向延伸，屏蔽装置本体的直径沿贯穿孔洞的轴向减小，以使屏蔽装置本体的竖直截面呈锥形，屏蔽装置本体的横截面较小的一端用于朝前插入贯穿孔洞，屏蔽装置本体由一个或多个屏蔽单元组成，屏蔽单元包括中心轴和螺旋叶片，中心轴沿贯穿孔洞的轴向延伸，螺旋叶片绕设于中心轴上，螺旋叶片的外沿抵接于贯穿孔洞的内壁，螺旋叶片用于对射线进行散射、慢化以及吸收，以降低辐射强度和射线能量。因此，本变截面屏蔽装置能够有效地屏蔽电离辐射及辐射漏束并避免潜在的辐射风险。本发明还公开了一种核设施屏蔽系统。

本发明授权一种变截面屏蔽装置以及核设施屏蔽系统在权利要求书中公布了：1.一种变截面屏蔽装置，其特征在于，包括：屏蔽装置本体9， 所述屏蔽装置本体9安装于贯穿孔洞内，用于屏蔽电离辐射及辐射漏束，所述屏蔽装置本体9沿所述贯穿孔洞的轴向延伸，所述屏蔽装置本体9的直径沿贯穿孔洞的轴向减小，以使屏蔽装置本体9的竖直截面呈锥形，所述屏蔽装置本体9的横截面较小的一端用于朝前插入所述贯穿孔洞， 当所述贯穿孔洞沿竖直方向延伸时，所述贯穿孔洞的横截面沿竖直方向逐渐减小，所述屏蔽装置本体9的横截面较大的一端朝上且横截面较小的一端朝下放置于所述贯穿孔洞内，所述屏蔽装置本体9通过自身重力抵紧贯穿孔洞的内壁； 当屏蔽体10的内侧和外侧存在压力差时，所述贯穿孔洞的横截面较大的一端朝向屏蔽体10压力较大的一侧，横截面较小的一端朝向屏蔽体10压力较小的一侧，所述屏蔽装置本体9的横截面较小的一端朝前插入所述贯穿孔洞内，所述屏蔽体10两侧的压力差使屏蔽装置本体9抵紧于贯穿孔洞的内壁； 所述屏蔽装置本体9由一个或多个屏蔽单元组成，所述屏蔽单元包括中心轴7和螺旋叶片8，所述中心轴7沿所述贯穿孔洞的轴向延伸，所述螺旋叶片8绕设于所述中心轴7上，所述螺旋叶片8的外沿抵接于所述贯穿孔洞的内壁，螺旋叶片8用于对射线进行散射、慢化以及吸收，以降低辐射强度和射线能量； 所述螺旋叶片8的拉长比为0.2-100，所述拉长比为螺旋叶片绕中心轴旋转一周的轴向长度L2与螺旋叶片的最大径向长度L1的比值； 所述螺旋叶片8和所述中心轴7均由多组分合金材料制成，所述多组分合金材料由氢化金属、碳化硼、钨和铝组成，其中，氢化金属为氢化锂氢化钛氢化锆，氢化金属的质量比例为1-20wt%，碳化硼的质量比例为2-20wt%，钨的质量比例为20-70wt%，铝的质量比例为30-70wt%； 所述螺旋叶片8的数量根据服役环境中电离辐射的放射性强度选择：针对低放射性电离辐射，即放射性废物活度浓度大于8×104且小于等于4×106BqL或Bqkg，所述螺旋叶片8的数量为1-2个，针对中放射性电离辐射，即放射性废物活度浓度大于4×106且小于等于4×1010BqL或Bqkg，所述螺旋叶片8的数量为3-6个，针对高放射性电离辐射，即放射性废物活度浓度大于4×1010BqL或Bqkg，或，强中子辐射，即中子源强度大于100000ns，所述螺旋叶片8的数量为7-12个。

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